Show simple item record

dc.contributor.advisorYalçın, Necati
dc.contributor.authorKarapinar, Ahmet
dc.date.accessioned2020-12-03T14:03:49Z
dc.date.available2020-12-03T14:03:49Z
dc.date.submitted1990
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/52595
dc.description.abstractBu çalışmanın amacı, yüksek özdirençli (p=1150 Q cm.) [III] doğrultusunda kesilmiş p-tipi Si kristalinden yapılan AI/pSi Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizmalarının incelenmesi ve bu yapıya ait parametrelerin I-V ve C-V karakteristiklerinden tayin edilmesidir. Özellikle Cheung (1986) tarafından verilen yöntem bu yapıların parametrelerini bulmak için uygulandı. Schottky diyot yapısında omik kontak, Al-Si sisteminin eutektik sıcaklığı olan 577 °C de p tipi Si'a alaşım yapılması ile; doğrultucu kontak ise Aİ metalinin p tipi Si'a kontak yapılması ile gerçekleştirildi. Tüm bu işlemlerde 10-5 torr basınçla çalışıldı.Klasik DC yöntemleri ile p+pM Schottky diyot yapısının, C-V karakteristiklerinden kristal kalınlığı d=17jım., difüzyon potansiyeli eV^iO.2410.02) eV., çoğunluk taşıyıcı yoğunluğu p= (1.5+0.2). 1013cm`3 ve hole engeli e<j>Q =(0.59±0.02) eV. olarak elde edildi. Bu durumda elektronlar içinhesaplanan engel yüksekliği e^ =0.53 eV. dir. Schottky cüyot yapısının Î-V karakteristikleri yardımıile Schottky çiziminden e<J>g=(0.60±0.02) eV. doğru beslem [dV/d(lnI)]~I ve H(I)-Ikarakteristiklerinden e<j>g=(0.61±0.03) eV. değerleri bulundu. Bu değerlere göre sırasıyla e<j>^=0.52eV. ve e<j>^=0,&1 eV. değerleri elde edildi. Ayrıca diyot idealite çarpanı n=1.10±0.03 , diyot seridirenci Rs=130 O , R$=100 H bulundu.Sonuç olarak, p+pM ve p+pp+ yapılarının C-V ve I-V ölçümlerinden elde edilen değerlerin birbirleri ile ve teorinin öngördükleri ile uyum içinde olduğu görüldü
dc.description.abstractThe aim of this work is to search the current transport mechanisms of the Schottky diodes Al/pSi anddetermine the parameters of the diodes made of p type Si having a high resistivity (p=1150 Q cm) and cut [lii] direction. The paramétrés of the diodes are calculated from I-V and C-V characteristics. Especially, Cheung's method (1986) has been applied to work out the paramétrés of the structures. The ohmic contact to the material is made with alloying the metal Al to the p-type Si at the eutectic temperature 577 °C and the rectifying contact is made with evapoting the metal Al onto the other side crystal. All of these processes are applied in the vacuum of 1CT5 torr pressure.Classical DC methods are used in the measurements. The thickness of the crystal, d=17im; themajority carrier density , p=(1.5±0.2).1013 cm-3 and hole barrier height, e<j>g=(0.59±0.02) eV., obtained by using C-V characteristics of p+pM Schottky diodes structures. In this case,calculated electron barrier height is e<j)^-0.53 eV. The hole barrier heights due to Schottky plots from reverse biascharacteristics.the plots of [dV/d(lnI)]-I and H(I)-I obtained from forward bias characteristicsand found as e<j>B=(0.60±0.02) eV. and e<j>B=(0.61±0.03) eV. respectively. According to these values, the barrier heights of the electrons are e<J>^=052 eV. and ec)^=0.51 eV. In addition , thediode ideality factor and the series resistance obtained as n=1.10±0.03 and Rg=130 Cl, R$=100 QAs a result ,the measured values from 1-V and C-V characteristics of the p+pM and p+pp+ structures are in good agreement with each other and the theoretical predictionsen_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleP+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini
dc.typedoctoralThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Anabilim Dalı
dc.identifier.yokid10037144
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityATATÜRK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid356585
dc.description.pages56
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess