B-Kalay monokristalinde dislokasyon yoğunluğu ile kristal kesiti arasındaki ilişki

Abstract

ÖZET Bu araştırmada kullanılan (3-Sn monokristalleri %99.99 saflıktadır. Kristaller yaklaşık 10``2 torr'luk bir basınçta modifiye Bridgman metodu kullanmak suretiyle eritilerek büyütülmüş ve ger i-yans imal ı Laue metodu ile yönlendirilmiştir. Bu işlemler sonunda kristal yönelimlerinin hemen hemen [110] doğrultusuna paralel olduğu görülmüştür. Büyütülen kristaldeki dislokasyon yoğunluğu tesbiti için dağlama tepeciği tekniği kullanılmıştır. Bunun için kristaller terkipleri farklı solüsyonlarda önce parlatılmış, sonra dağlanmıştır. Dağlama sonunda kristalin (001) yüzeyinde oluşan dağlama tepeciklerinin fotoğrafları bir metal mikroskopu kullanılarak çekilmiştir. Bu fotoğraflardan faydalanarak kristal kesiti ile dislokasyon yoğunluğu arasındaki ilişki araştırılmış, kristal kesiti arttıkça dislokasyon yoğunluğununda arttığı gözlenmiştir.

11 SUMMARY P~Sn monocrystals used in this investigation were a purity of 99.99%. The crystals were grown from the melt by using the modified Bridgman method in a vacuum at about 10~2 torr and ' were oriented by back-reflection Laue method. As a result of these operations, it was seen that orientations of crystals were almost parallel to the [110]. Etch hillock tecnique was used in order to determine dislacation density of grown crystals. For this, crystals were first polished and then etched with a solutions that consist of different components. As a result of etching, photographs of etching hillocks occuring on the (001) surface of crystal were taken by means of metal microscope. The relationship between crystal crosscut and dislocation density was searched using those photographs and finally it was observed that dislocation density increases together with crystal crosscut.