Au/n-GaAs schottky diyotların karakteristik parametreleri üzerine hidrostatik basıncın etkisi

Abstract

ÖZET Au/n-GaAs Schottky diyotların bazı parametrelerinin hidrostatik basınç altındaki değişimleri incelendi. Basınç ünitesi geleneksel piston-silindir sistemi olup AISI 4340 çeliğinden oluşturulmuştur. Akışkan olarak özel bir yağ (trafo yağı) kullanıldı. Basınç ünitesi içindeki basınç kalibre edilmiş bir manganin telin direncindeki değişim ile ölçülmektedir. Basınç ünitesine özel tasarlanmış bir tutucu ile yerleştirilen Au/n-GaAs Schottky diyotların, basınç ünitesinden çıkarılan elektriksel bağlantılar vasıtasıyla 0.00-6.00 kbar'lık basınç altında I-V ölçümleri alındı ve I-V karakteristikleri çizildi, İdealite faktörleri n ve engel yükseklileri b, sırasıyla yarılog-doğru beslem I-V grafiklerinin lineer kısımlarının eğiminden ve y ekseninin kesim noktalarından hesaplandı. Ayrıca Cheung fonksiyonları yardımıyla seri direnç değerleri elde edildi. 0.00-6.00 kbar hidrostatik basınç aralığında alman I-V ölçümlerinden hesaplanan idealite faktörlerinin S.00 kbar'a kadar değişmediği ancak 5.00 kbar'dan sonra azaldığı görüldü. Bununla beraber, engel yüksekliği ve seri direnç değerinin artan basınçla artma eğiliminde oldukları gözlendi. Bu artma eğilimi EL2 kusurlarından ziyade artan basınç ile sayıları artan amphoterik native (tabii) diye adlandırılan kusurların neden olduğu sonucuna varıldı. Basınç kaldırıldıktan sonraki zaman dilimlerinde ölçülen I-V karakteristiklerinin 1.00 kbar'da ölçülen I-V karakteristikleri ile çakışması bu kusurların bir kısmının basınç kalktıktan sonra da aktif ve etkin olduğu söylenebilir.

SUMMARY The changing of some parameters of Au/n-GaAs characteristic Schottky diodes under hydrostatic pressure were investigated. Pressure cell consisted of conventional piston- cylinder system was made up of AISI 4340 steel. A special transformer oil was used to transmit the pressure. The value of pressure in the pressure cell was measured with the resistance changes of the manganin wire. Au/n-GaAs Schottky diodes were located in the pressure cell with a special designed sample holder and I-V measurements under 0.00-6.00 kbar hydrostatic pressure were made by the electrical connections from cell to measuring device and I-V characteristic of diodes were plotted. Ideality factors n and barrier height were calculated from the slope of linear part of semilog-forward bias I-V graphics and the interception of y axis, respectively. Serial resistance values were obtained by means of Cheung functions. It was seen that calculated ideality factors from the I-V measurements in the 0.00-6.00 kbar hydrostatic pressure range don't change up to 5.00 kbar but decrease over 5.00 kbar. However, it was seen that the barrier height and serial resistance values have tendency of increase with increasing pressure. It was concluded that defects called as amphoteric native whose number increase with increasing pressure causes to this increasing instead of EL2 defects. It can be said that some parts of these defects are still active and effective after pressure removed from the fact that I-V characteristics measured after the removal of pressure to fit in to the measured 1-V characteristics under 1.00 kbar.