Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi

Abstract

ÖZET Yarıiletken elektronik devre elemanları ve optoelektronik cihazları her geçen gün önemi artan bir teknoloji haline gelmiştir. Bu devre elemanlarında, taban malzeme olarak kullanılan yarıiletkenin diğer özelliklerinin yanında optik özelliklerininde bilinmesi gereklidir. Cihazların tasarımı, geliştirilmesi ve üretiminde gerekli olan temel bilgi, malzemenin temel niteliklerinin elde edilmesiyle sağlanır. GaTe kristalinin optik özellikleri, fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. GaTe yarıiletkeni yakın kızılötesi bölgede teknolojik uygulama potansiyeline sahip olan bir bileşiktir. GaTe'nin bu özelliğinden dolayı, bu çalışma teknolojik uygulamalarda optik özellikler yönünden gerekli olan bilgiyi sağlamak amaçlandı ve yönlendirilmiş doğrudan katılaşma tekniği ile büyütülmüş GaTe kristalinin optik özellikleri fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. Fotolüminesans ölçümleri sıcaklığa ve lazer gücüne bağlı olarak yapıldı ve bu ölçümlerden ışımalı geçiş mekanizmaları tanımlandı. Sıcaklığa, ısıl işleme ve uyarma şiddetine bağlı ölçümlerden ısıl işlemin yarıiletkenin optik özellikleri üzerindeki etkisi incelendi.

u SUMMARY The electronic circuit elements based on semiconductors optoelectronic devices have become more and more important in technology. It is necassary to be known that semiconductors using for substrate device not only other properties but also optical properties. Basic information that needed at device design, improvement and manufacturing is provided to known of basic physics properties of materials. GaTe semiconductor is a compound having potential technologicial application in near infrared region. Because of this properties of GaTe, this study have done to provide the information. In this study the optical properties of the as grown and annealed GaTe cyrstals were studied using photoluminescence (PL) technique. In explanation of radiative transition mechanism, temperature and laser power dependent PL measurements were used. Annealing effect on GaTe also investigated using low temperature and temperature dependent PL measurements. <&£. ^taffiÖ&MTİBfl HSmSM