Ga2Te3 yarıiletken kristalinin büyütülmesi ve anahtarlama özelliğinin incelenmesi

Abstract

Bridgman-Stockbarger kristal büyütme metoduna dayanan doğrudan katılaştırma metodu ile büyütülen ve III-VI bileşik ailesi içerisinde yer alan Ga2Te3 yaniletken bileşiğinin anahtarlama özelliği incelendi. Büyütme sonrası anahtarlama, külçe kristalin kendi yarılma düzleminde (110) elde edilen ve direnci yüksek (yaklaşık MQ mertebesinde) düzlemlerinde görüldü. Bu düzlemlere dik olarak kesilip mekanik olarak parlatılan yüzeylerde ise anahtarlama olayı gözlenmedi. Bu durum yarılma düzlemlerine dik düzlemlerde direncin yanlma düzlemlerine nazaran daha düşük olmasına atfedildi. Bu sonuç anahtarlama olayının özellikle direnci yüksek yarıiletken bileşiklerde gözlenebileceğini doğruladı.

The switching effect of Ga2Te3 semiconductor being a family member of III- VI compounds, which has been grown by directional freezing method based on Bridgman-Stockbarger crystal growth method, has been investigated. The switching effect of as grown crystals has been observed on the cleaves surfaces (110) having high resistance (at the order of Mfi) of the bulk crystals. But this effect has not been observed on the surfaces, which has been cut as perpendicular to the cleave surfaces and polished mechanically. This has been attributed to the lower resistance. This result showed that the switching effect could be observed jon the surfaces of semiconductor compounds having high resistance.