InSe ve InSe:N yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

Abstract

ÖZET Y. Lisans Tezi InSe ve InSe:N YARIİLETKEN KRİSTALLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ ve OPTİK KARAKTERİZASYONU Murat SOYLU Atatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. Bahattin ABAY InSe ve InSe:N (%0.1at.) yarıiletken kristalleri Stockbarger prensibine dayalı Yönlendirilmiş Katılaştırma Metodu ile büyütüldü. Optik karakterizasyon için, 10-340 K aralığında 10 K adımlarla sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçümleri yapıldı. Deneysel soğurma katsayısının enerji ile değişimi, eksitonik bölgede Loranzian çizgi biçimini göz önüne alan Elliot modeli kullanılarak analiz edildi. Elde edilen uyum eğrilerinden eksitonik bağlanma enerjisi, çizgi genişliği ve eksiton parametreleri belirlendi. Sıcaklığa bağlı eksitonik rezonans ve çizgi genişliğinin analizinden bu parametrelerin sıcaklıkla değişimini kontrol eden etkin fonon frekansları elde edildi. 2002, 57 sayfa Anahtar kelimeler: III-VI yarıiletken bileşikler, InSe, kristal büyütme, optik soğurma, Elliot teorisi

ABSTRACT Master Thesis GROWTH AND OPTICAL CHARACTERIZATION OF InSe AND InSe:N SEMICONDUCTOR CRYSTALS Murat SOYLU Atatürk University Faculty of Arts and Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Bahattin ABAY InSe and InSe:N (0.1 at.%) semiconducting compounds were grown using Directional Freezing Method based on Stockbarger technique. Temperature dependent optical absorption measurements were made in the 10-340 K temperature range with 10 K steps for the optical properties of grown crystals. The variation of the experimental optical absorption coefficient with energy was analysed by Elliot's model with Loranzian lineshape in the excitonic region. Excitonic binding energy, line-width and exciton parameters were determined from the fitting procedure. The energies of effective phonon controlling the temperature variation of the band gap and line-width were estimated from the analysis of the temperature dependence of this parameters. 2002, 57 pages Keywords: III-VI semiconductor compounds, InSe, crystal growth, optical absorption, Elliot theory