GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi

Abstract

*^ 'tm* » «»» FİTİlf Anahilîm nah ^*j* '--¦*` ÖZET Yüksek Lisans Tezi GaSe, GaSe:Gd ve GaSe:In YARIİLETKENLERİNİN YASAK ENERJİ ARALIĞINA ELEKTRİK ALANIN ETKİSİ Şule ŞİŞMAN Atatürk Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd. Doç. Dr. Bekir GÜRBULAK Bu çalışmada Bridgman-Stockberger metodu ile büyütülen GaSe. GaSe:Gd ve GaSe:In tek kristalleri kullanılarak 10-320 K sıcaklık aralığında soğurma ölçüleri alındı. Bu ölçümler yardımıyla soğurma katsayısı, yasak enerji aralığının sıcaklıkla değişimi, eksiton enerji seviyeleri ve bağlanma enerjileri hesap edildi. Ayrıca uygulanan dış elektrik alanın soğurma ölçüleri üzerine etkisi araştırıldı. Uygulanan dış elektrik alanla GaSe:Gd numunesinde yasak enerji aralığının değişmediği gözlendi. GaSe ve GaSedn numunelerinde ise uygulanan elektrik alanla birlikte yasak enerji aralığının daha uzun dalga boylarına kaydığı ve pik şiddetlerinin azaldığı gözlendi. Soğurma deneyleri sonucunda, yapıya katkılanan Gd'un yasak enerji aralığında bir genişlemeye, In'un ise yasak enerji aralığında bir daralmaya sebep olduğu tespit edildi. -0 2003, 79 sayfa Anahtar Kelimeler: III-VI Yarıiletken Bileşikler, Nadir Toprak Elementleri, Soğurma, Elektrik Alan, Eksiton J1V111VHUW X, l~t KJ fL,K4.L 11J.U., `

-^-?.?'r.-rm-T w» Atatürk university :-s,v -wmwr ~w ABSTRACT Master Thesis THE INFLUENCE OF THE ELECTRIC FIELD ON THE FORBIDDEN ENERGY GAPS OF THE GaSe. GaSe:Gd AND GaSe:In SEMICONDUCTORS Şule ŞİŞMAN Atatürk University Faculty of Arts and Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Bekir GÜRBULAK In this study, the GaSe, GaSe:Gd and GaSe:In single crystals were grown by using Bridgman/Stockberger method. The absorption measurements were made at the temperature range of 10-320 K with 10 K steps. Using these datas the absorption coefficient, the variation of the forbidden energy gaps with temperature, the exiton energy levels, bonding energies were calculated. The influence of external electric field on the absorption measurement was investigated. As for the GaSe and GaSedn samples, with the influenced electric field, the forbidden energy gap was slipped to long wave lengths and the pick strengths were reduced. At the end of the absorption experiments, it was determined that the Gd caused an expandiation but In element caused a narrowing at the forbidden gap of the pure GaSe. 2003, 79 pages Keywords: III-VI compounds semiconductors, rare earth elements, absorption electric field, exiton. ?tTWaW* mıl%W-l!Wqt:J,-ıW<J*'Uh%MMHta»«g^ lt.İ.IİHlMBama*IU>'fc>-Jl'!İ>fe