Al/Poly(Methyl methacrylate)/p-Si organik schottky diyotların üretimi, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Al/ Poli (metil metakrilat) (PMMA)/p-Si organik Shottky diyotlar p-Si yarıiletken alttaş üzerine spin kaplama ile yöntemi ile PMMA film üretildi. Frekans ve gerilime bağlı dielektrik ve elektrik özellikleri araştırıldı. 30 kHz–1 MHz frekans aralığında ve -3V'tan 1V'a gerilim aralığında Kapasitans-voltaj C-V ve iletkenlik-voltaj G/ω-V ölçümleri kullanılarak dielektrik ve elektrik özellikleri araştırıldı. Ara yüzey durumlarının yoğunluğu Nss, seri direnç Rs ve değerleri hesaplandı ve tüm bu parametrelerin frekansa bağlı olduğu gözlemlendi. C-2-V eğrileri her bir frekans değeri için geniş bir voltaj aralığında lineer davranış gösterdi. Katkı atomları konsantrasyonları NA, tüketim tabakasının kalınlığı WD ve engel yüksekliği ΦB, C-2-V eğrilerinden elde edildi. Al/ PMMA/ p-Si yapının frekans ve gerilime bağlı dielektrik sabiti ε′, dielektrik kayıp ε″, tanjant kayıp tanδ ve ac elektrik iletkenliği σac, oda sıcaklığında incelendi. Düşük frekanslarda arayüzey kutuplanmanın daha kolay meydana geldiği gözlemlendi.

Al/Poly (methyl methacrylate) (PMMA)/p-Si organic Schottky devices were fabricated on a p-Si semiconductor wafer by spincoating of PMMA solution. The frequency and voltage dependent dielectric and electrical properties of Al/PMMA/p-Si have been investigated. Dielectric properties and electrical conductivity of Al/PMMA/p-Si structure have been investigated in detail by using experimental capacitance voltage C–V and inductance voltage G/-V measurements in the frequency range of 30 kHz– 1 MHz and voltage from -3V to 1V. The density of interface states Nss, series resistance Rs and were calculated by using the C-V and G/-V measurements and all these parameters were found to be a strong function of frequency. The C-2-V plots give a lineer behavior in a wide bias voltage region for each frequency values. The values of doping concentration NA, depletion layer width WD and barrier height ΦB were obtained from C-2-V plots. The frequency and voltage dependent dielectric constant ε′ , dielectric loss ε″, tangent loss tanδ, and a.c. electrical conductivity σac properties of Al/ PMMA/ p-Si structure have been investigated in the various frequencies at room temperature. It can be concluded that the interfacial polarization can be more easily occurred at low frequencies.