Amorf silisyum monoksit filmlerde (a-SiOx) ısıl uyarlamalı akım ölçümleri

Abstract

İÜ ÖZET Bu çalışmada, vakum buharlaştırması ile elde edilen a-SiO filmleri üzerinde, 120K-400K aralığında, Isıl Uyarmalı Akım (Thermally Stimulated Current) ölçümleri _7 yapıldı. Silisyum monoksit filmler 2.10 torr basınç ta ve buharlaştırma hızının 13 aVs-35 R/s değerlerinde hazırlandı. Buharlaştırma sırasında cam tabanlar 125- 170°C sıcaklık aralığında tutularak 2000-6200 8 kalın lığında filmler elde edildi. Isıl Uyarmalı Akım (IUA) ölçümleri 120K-400K sı caklık bölgesinde çalışabilen bir kriyostat kullanıla rak vakumda alındı. 120K'da u.v. ve beyaz ışıkla aydın latılan filmlerin IUA eğrilerinde, çalışma koşullarına bağlı olarak, 210K, 260K ve 320K sıcaklıklarında oluşan 1-3 tepe gözlendi. Bu tepeler hazırlama koşullarının, ısıtma hızının, aydınlatma enerjisi ve süresinin fonksi yonu j^lârak incelendi. IUA eğrilerindeki tepelere kar şılık gelen enerji değerleri, farklı değerlendirme yön temleri kullanılarak, 260K için 0,22 eV-0,36 e¥, 320K için 0,57 eV-0,61 eV olarak hesaplandı. Bu değerlerin daha Önceki çalışmalarda hesaplananlarla uyum içinde olduğu bulundu.

ABSTRACT TSC measurements were made on evaporated silicon monoxide films between 120-400 K. Amorphous SiO films -7 were prepared in high vacuum at 2x10 torr and the deposition rate was between 13-35 A/sec. Substrate temperature were kept at a value between 125-170 C to obtain SiO films with stable electrical properties. The thickness of the films were in the range 2000-6200 8. TSC were measured in a vacuum cryostat. Most of the TSC spectrum shows three distinct current peaks at 210K, 260K and 320K. These peaks are examined as a func tion of sample preparation conditions, heating rates, illumination energy and time. The depts of the energy levels from the conducting paths were determined as 0,22-0,36 eV for 260K peak and 0,57-0,61 eV for 320K peak by making use of different calculation methods. The energy level value of 210K peak could not be calculated using these methods but it must be less than 0,2 eV.