İyon ekimi ile amorflaştırılmış silikonun pulslu laserle tavlanmasında elektriksel aktivasyon

Abstract

IV ÖZET Bu çalışmadaP ekilen silikon tek kristalinde oluşan ince amorf tabakalar, fırında ve ayrıca laboratuvarda kurulan bir pulslu boya laseri ile iki farklı dalgaboyunda tavlanmıştır. Hail etkisi deneyi van der Pauw yöntemi ile yonca yaprağı şeklinde kum tabancasıyla kesilen örneklerde, örnek üzerine buharlaştırma yolu ile kaplanan AuSb'nm laserle dövülüp alttaş ile alaşım yapmasıyla elde edilen omik eklemler kullanılarak yapılmıştır. Elektriksel ölçümler 300 K ve bir alçak sıcaklıklar krayostadı kullanılarak 77 K'de yapılmıştır. Kullanılan la ser pulsunun süresi (^ 300 ns) göz önüne alındığında bu deney ilk defa yapılmaktadır. Sonuçlar uygun fırın sıcaklıkları ve laser enerji yoğunluklarında ekilen iyon dozunun 100 % aktive edilebildiğini göstermektedir. Ayrıca elde edilen taşıyıcı mobilitesi değerleri literatürdeki (Finetti, Galloni, ve Mazzone, 1978) değerlerle uyum içerisindedir.

SUMMARY In this work, thin amorphous layers produced by P implantation on silicon single crystals have been annealed using a furnace and a pulsed dye laser at two different wavelengths. Hall effect experiments have been carried out using van der Pauw method on clover leaf shaped samples cut by a sand blaster, employing contacts made by pulsed laser alloying of thin AuSb films evaporated on appropriate regions on the sample surface. Electrical measurements are performed at 300 K and using a low temperature cryostad, at 77 K. We believe this, to be the first study on the subject considering the pulse length (^ 300 ns) of the laser pulses employed in this study. Results show that it is possible to achieve 100 % activation under proper temperatures and laser energy densities. In addition electron mobility values are comparable or better then values found in the literature. (Finetti, Galloni and Mazzone 1978).