PbTe filmlerin elektriksel özelliklerinin hazırlama koşullarına bağlılığı

Abstract

IV ÖZET PbTe filmler cam tabanlar üzerine, vakumda bileşiğin buhar laştırı İması yöntemiyle hazırlanmıştır. Hazırlanan filmlerin taban sıcaklıkları, oda sıcaklığıyla 200°C arasında değiştirilmiştir. Filmlerin stokiyometrisi toz PbTe kırınım deseni, ASTM kartı ve filmlerin x-ışını kırınım desenlerinin karşılaştırılması şeklinde incelenmiştir. Filmlerin sözü edilen koşullar altında, dif raksiyometrenin duyarlılık sınırları içerisinde stokiyometrik olarak hazırlanabildikleri görülmüştür. Film kalınlıkları ışık-girişim ölçer kullanılarak ölçülmüş, 150-790 nm aralığında bulunduğu görülmüştür. Filmlerin akım-ger i 1 im niteliklerini, iletkenlik tiplerini ve iletkenliklerini bulmak amacı ile, vakumda buharlaştırma yoluyla Ag elektriksel bağlantılar yapılmış ve aşağıdaki sonuçlar bulunmuştur. Tavlanmamış filmlerin p tipi, tavlanmış filmlerin n tipi iletkenlik gösterdiği; p tipi filmlerin n tipi filmlere göre daha yüksek dirence sahip olduğu bulunmuştur. -1 Bulunan özi 1 etkeni ikle 0, 12-210, 3(ohmcm) aralığında değişmektedir. Elektriksel özellikler van der Pauw tekniği kullanılarak, 77-3000K aralığında ölçülmüştür. Hail deneyleri film düzlemine dik 10 kG'luk bir magnetik alan altında yapılmıştır. Ayrıca aynı sıcaklıklarda, 0,1-21 kG'luk magnetik alan aralığında da Hail deneyleri yapılmıştır.

V SUMMARY PbTe films were prepared on the glass subtrates by eva poration of the compound in the high vacuum. When the films were made the substrate temperature were held bet ween the room temperature and 200°C. Films stochiometry were studied.by comparing the x-ray powder diffraction of the films, ASTM card of PbTe and x-ray powder diffraction pattern of the starting material.lt is observed that PbTe films can be prepared in stochiometric proportion in the x-ray diffraction limits under the mentioned prepartion conditions. Thickness were meassured by using an optic in terferometer and found in range 150-790 nm.Ohmic contacts to the films were obtained by evaporation of Ag dots onto the films. These contacts were used to check the current- voltage linearity, the conduction type and the electrical conductivity at room temperature. Results were found as follows! Conductivity type for untreated films were p- type. For the annealed films n-type condition were ob tained, p-type films were found resistive than n-type films. In general conductivity values of the films were -1 found in the range 0,12-210,3 (ohmom).Electrical proper ties of the films were meassured as a fonction of tempe rature between 77-300 °K by using van der Pauw technique. For the Hall effect experiments, lOkG transverse magnetic field applied to the films surface. Also at some constant temperatures Hall effect experiments were done by apply ing the magnetic field in the range 0,1-21 kG.