Pn eklem güneş pillerinin verim parametreleri ve bunları ölçme yöntemleri
dc.contributor.advisor | Karabıyık, Haldun | |
dc.contributor.author | Yüksel, Ömer Faruk | |
dc.date.accessioned | 2020-12-29T17:44:17Z | |
dc.date.available | 2020-12-29T17:44:17Z | |
dc.date.submitted | 1990 | |
dc.date.issued | 2018-08-06 | |
dc.identifier.uri | https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/468847 | |
dc.description.abstract | ÖZET Bu çalışmada numune olarak, elektronik devrelerde ışığa duyarlı eleman olarak kullanılmak üzere hazırlanmış bir n+p eklemli silisyum güneş pili kullanıldı. Pilin karanlık bir ortamda ters ve doğru beslen akım-gerilim eğrileri ölçüldü. Bu eğrilerden, doyma akımı için I =1,55x10 mA, seri direnç için Rs= 3,73 Q ve parelel direnç için de R = 1 MÖ değerleri bulundu. Yine karanlık ortam koşullarında, 1) Doğru beslem ve düşük alanlarda difüzyon akımının <n«l>, 2) Doğru beslem ve yüksek alanlarda yeniden birleşme (re combination) akımının (n=;2), 3) Ters beslemde ise çoğalma (generation) akımının etkin olduğu gözlendi. Yapay aydınlatma altında pilin pratik verimi ^=%6,54 ve AMI, 5 aydınlatması ile kuantum verimi ölçümlerinden hesaplanan pratik verim *[ =* %12 elde edildi. Taşıyıcı yarıömrü için _3 t=2,6x10 sn ve difüzyon mesafesi için L=0,318 cm değerleri bulundu. Bunların literatürde verilen değerler ile uyumlu olduğu görüldü. | |
dc.description.abstract | ABSTRACT In this study we have used an n p-Si junction solar cell which was prepared to use as a light sensitive device in electronic circuits. In a dark medium the forward and reverse biased current-voltage curves were measured. From these cur - -5 ves, for the saturation current I = 1.55x10 mA, the series o resistance R = 3.73 Q and the parallel resistance R = 1 MÛ s r p values were found. Besides, in the dark medium the following results were obtained: 1) In weak fields of forward bias the diffusion current <n*l), 2) In high fields of forward bias the recombination cui - rent (n«2), and 3) In the reverse bias the generation current mechanisms were found effective. The practical efficiency of the cell under artificial il lumination was V = 6.54 %, and under the AM 1.5 solar illumi nation conditions we have calculated a practical efficiency ^ = 12 % from the quantum efficiency measurements. For the -3 carrier lifetime t = 2.6x10 sec. and for the diffusion length L = 0.318 cm values were obtained. These parameters are in good agreement with the values in the literature. | en_US |
dc.language | Turkish | |
dc.language.iso | tr | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/embargoedAccess | |
dc.rights | Attribution 4.0 United States | tr_TR |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | tr_TR |
dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
dc.title | Pn eklem güneş pillerinin verim parametreleri ve bunları ölçme yöntemleri | |
dc.type | masterThesis | |
dc.date.updated | 2018-08-06 | |
dc.contributor.department | Fizik Anabilim Dalı | |
dc.subject.ytm | Yield | |
dc.subject.ytm | Solar cells | |
dc.identifier.yokid | 12326 | |
dc.publisher.institute | Fen Bilimleri Enstitüsü | |
dc.publisher.university | SELÇUK ÜNİVERSİTESİ | |
dc.identifier.thesisid | 12326 | |
dc.description.pages | 65 | |
dc.publisher.discipline | Diğer |