Show simple item record

dc.contributor.advisorKarabıyık, Haldun
dc.contributor.authorYüksel, Ömer Faruk
dc.date.accessioned2020-12-29T17:44:17Z
dc.date.available2020-12-29T17:44:17Z
dc.date.submitted1990
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/468847
dc.description.abstractÖZET Bu çalışmada numune olarak, elektronik devrelerde ışığa duyarlı eleman olarak kullanılmak üzere hazırlanmış bir n+p eklemli silisyum güneş pili kullanıldı. Pilin karanlık bir ortamda ters ve doğru beslen akım-gerilim eğrileri ölçüldü. Bu eğrilerden, doyma akımı için I =1,55x10 mA, seri direnç için Rs= 3,73 Q ve parelel direnç için de R = 1 MÖ değerleri bulundu. Yine karanlık ortam koşullarında, 1) Doğru beslem ve düşük alanlarda difüzyon akımının <n«l>, 2) Doğru beslem ve yüksek alanlarda yeniden birleşme (re combination) akımının (n=;2), 3) Ters beslemde ise çoğalma (generation) akımının etkin olduğu gözlendi. Yapay aydınlatma altında pilin pratik verimi ^=%6,54 ve AMI, 5 aydınlatması ile kuantum verimi ölçümlerinden hesaplanan pratik verim *[ =* %12 elde edildi. Taşıyıcı yarıömrü için _3 t=2,6x10 sn ve difüzyon mesafesi için L=0,318 cm değerleri bulundu. Bunların literatürde verilen değerler ile uyumlu olduğu görüldü.
dc.description.abstractABSTRACT In this study we have used an n p-Si junction solar cell which was prepared to use as a light sensitive device in electronic circuits. In a dark medium the forward and reverse biased current-voltage curves were measured. From these cur - -5 ves, for the saturation current I = 1.55x10 mA, the series o resistance R = 3.73 Q and the parallel resistance R = 1 MÛ s r p values were found. Besides, in the dark medium the following results were obtained: 1) In weak fields of forward bias the diffusion current <n*l), 2) In high fields of forward bias the recombination cui - rent (n«2), and 3) In the reverse bias the generation current mechanisms were found effective. The practical efficiency of the cell under artificial il lumination was V = 6.54 %, and under the AM 1.5 solar illumi nation conditions we have calculated a practical efficiency ^ = 12 % from the quantum efficiency measurements. For the -3 carrier lifetime t = 2.6x10 sec. and for the diffusion length L = 0.318 cm values were obtained. These parameters are in good agreement with the values in the literature.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titlePn eklem güneş pillerinin verim parametreleri ve bunları ölçme yöntemleri
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentFizik Anabilim Dalı
dc.subject.ytmYield
dc.subject.ytmSolar cells
dc.identifier.yokid12326
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universitySELÇUK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid12326
dc.description.pages65
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/embargoedAccess