Yarıiletken güneş pillerinde azınlık taşıyıcıların yarıömür tayin yöntemleri

Abstract

Bu çalışmada numune olarak, elektronik devrelerde ışığa duyarlı ele man olarak kullanılmak üzere hazırlanmış n*p eklemli Silisyum güneş pilleri kullanıldı. Yarıiletken güneş pillerinde azınlık taşıyıcı yarıömür tayin yöntemlerine değinildi ve bunlardan POVD yöntemi etraflı bir şekilde incelendi, deneysel ölçümlerde buna uygun olarak gerçekleştirildi. Değişik dalga boylarında elde edilen sabit şiddetli ışık pulsları, farklı üç numune üzerine gönderilerek, oluşan V^t) Açık devre gerilim bozunması osiloskopta gözlendi. Aynı zamanda bozunma eğrileri bir fotoğraf filmine kaydedildi. Bu eğrilerin eğimleri ampirik bir ifadede kullanılarak hesaplanan yarıömür değerleri çizelge halinde verildi. Elde edilen sonuçların Y. K. HESEEH ve arkadaşlarının öngördüğü değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. ANAHTAR KELİMELER : POVD, yarıömür, azınlık taşıyıcı, dejenere,verim ömür,

In this study it has been used an n+p-Si junction Solar Cell which was prepared to use as a light sensitive device in electronic circuits. The methods which are used to determine the minority carrier lifetime in semiconductor solar cells were discussed, and among them the POVD method was examined in detail, and according to this method some experimental measurements were made. Light pulses with constant intensities, generated in various wavelength were send upon three different speciemens, the Voc(t), Open Circuit Voltage Decay curves were observed on an oscilloscope. At the same time, these decay curves were recorded on a photographic film. By using the slopes of these curves in an ampirical relation, the calculated lifetime values were given in a table. It was seen that the results obtained are in agreement with the values proposed byY.K.HESİEHet.all.[3]. KEY WORDS : POVD, Lifetime, Minority Carrier, Degenere, Efficiency