Browsing TEZLER by Subject "Ideality factor"
Now showing items 1-3 of 3
-
Ni/n-Si/Al Schottky diyotların sıcaklık bağımlı parametrelerinin hesaplanması
(ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Ni/n-Si/Al Schottky diyotların deneysel akım-gerilim (I-V) karakteristikleri çalışılmıştır. Diyotlar, antimon katkılanmış 0.01 özdirençli n+ taban Si üzerine LPE (Liquit-phase epitaxy) tekniği ile büyütülen fosfor katkılı ... -
p-InSe:Mn yarı iletkeninin Schottky kontak davranışı
(ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülmüş olan p-InSe:Mn yarıiletkeninin Schottky kontak davranışı incelenmiştir. Bu çalışma için öncelikle yarıiletkenin mat tarafına In buharlaştırılarak omik kontak yapılmış, ... -
Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs schottky diyotların sıcaklığa bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj karakteristiklerinin incelenmesi
(ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Serbest taşıyıcı yoğunluğu yaklaşık olarak 7,3x1015 cm-3 olan n-tipi GaAs kristali taban malzeme olarak kullanılıp, Ni/n-GaAs/In Schottky diyotları sputter (saçtırma) tekniği ile üretilmiştir. Üretilen bu diyotların geniş ...