Browsing TEZLER by Subject "Gallium arsenic"
Now showing items 1-1 of 1
-
Saçtırma yöntemiyle hazırlanan Ni/n-GaAs Schottky engel diyotların karakteristik parametrelerinin tavlama ve numune sıcaklığına bağlı değişimleri
(ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)n-tipi GaAs kristali kullanılarak, Ni/n-GaAs/In Schottky engel diyotları (SED) sputter (saçtırma) tekniği ile hazırlanmıştır. Ni/n-GaAs/In SED'ları 473 K ve 673 K'de iki dakika, 873 K ile 973 K'de birer ...