Search
Now showing items 1-3 of 3
Yarıyalıtkan ve n-tipi GaAs kristallerinin yakın bant kenarı bölgesinde optik soğurma olaylarının incelenmesi
(2018-08-06)
Katkılanmamış ve yanyalıtkan özelliğe sahip GaAs kristali ile Te katkılanmış n-tipi GaAs kristali üzerinde bant kenarına yakın bölgedeki soğurma spektrumları 10-300 K sıcaklık bölgesinde incelendi. Bant kenarına yakın ...
İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
(2018-08-06)
ÖZET Bridgman/Stocberger ve direkt donma metoduna benzer. bir metodla InSe, GaSetGd, TlGaSe2 ve TlGaSe2:Gd tek kristalleri büyütüldü. 10-320 K sıcaklık aralığında yapılan soğurma ölçümlerinden yasak enerji aralığı, eksiton, ...
InSe ve InSe:Ho tek kristallerinin büyütülmesi, sıcaklığa bağlı elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
(2018-08-06)
ÖZET Doktora Tezi InSe, InSer:Ho TEK KRİSTALLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ, SICAKLIĞA BAĞLI ELEKTRİKSEL VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Aytunç Ateş Atatürk Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Anabilim Dalı Danışman: Prof. ...