Search
Now showing items 1-2 of 2
AI/Anodik SİO2/Sİ (MOS) yapıların elektriksel özellikleri üzerine ısısal tavlama, akım yoğunluğu ve elektrolit pH`ının etkileri
(2018-08-06)
Bu çalışmada, [100] doğrultulu, 15-25 ohm-cm özdirençli ve 500 um kalınhkh p-tipi silisyum kristali toplanılarak 0,1 M KOH elektrolitinde anodik oksidasyon metoduyla Al/Anodik SİO2/Sİ MOS yapısı elde edildi. Oksidasyon ...
Al/n-Si schottky diyodlarının ideal olmayan I-V, C-V karakteristikleri ve arayüzey hallerinin enerji dağılımı
(2018-08-06)
ÖZET Bu çalışmada kullanılan Al/n-Si Schottky diyodlar, 1400 Q-cm özdirençli Si (111) yarıiletkeninin bir yüzüne doğrultuca kontak için Al(% 99.99) ve diğer yüzüne omik kontak için Au-Sb buharlaştırılarak elde edildiler. ...