Investigations on compositional, structural and optical properties of In2S3 films produced by spray pyrolysis method at different substrate temperatures

Abstract

Bu çalışmada, In2S3 filmleri püskürtme yöntemiyle hazırlandı ve düzensel, yapısal ve optik özellikleri değişik yöntemler kullanılarak incelendi. In2S3 filmleri 250 ile 350 ºC arasında değişen farklı taban sıcaklıklarında cam zemin üzerine oluşturuldu. Kimyasalların düzensel incelemeleri EDX yöntemiyle yapıldı. Film üzerindeki bir alandan alınan EDX sonuçları, filmin az miktarda O, Na ve Si'den oluştuğunu ve ayrıca film üzerindeki In'nin S'ye olan oranını gösterdi. In2S3 filmlerinin optiksel özellikleri optik emilim katsayısı verilerinden çift ışınlı görünür spektrofotometre kullanılarak incelendi. Yasak bant enerjisinin 2.61 eV ile 2.71 eV arasında olduğu tespit edildi. In2S3 film örneklerinin kristal yapısı SEM ve X-ışını kırınım tepelerine bakılarak bulundu. Bunun yanısıra In2S3 filmleri O2 ortamında farklı tavlama sıcaklıkları altında ısısal oksitleme ile In2O3 filmlerine dönüştürüldü.

In this study, In2S3 films were prepared by spray pyrolysis technique and their compositional, structural, and optical properties were investigated by using different methods. The In2S3 films were obtained on glass substrates at various substrate temperatures in the range of 250-350 ºC. The compositional analysis of the chemicals was made by EDX method. The EDX results taken from an area on the film indicated that the film is composed of O, Na, and Si in small amounts, and also provided the ratio of the In (indium) to S (sulphur) on the film. The optical properties of In2S3 films were examined from optical absorption coefficient data using double beam visible spectrophotometer. The band gap energy of the In2S3 films was found to be between 2.61 eV and 2.71 eV. The crystal structure of the In2S3 film samples were studied by SEM and X-ray diffraction peaks. In addition, In2S3 films at different annealing temperature in O2 flow were transformed into In2O3 films by thermal oxidation.