Amorf germanyumun büyütülmesinin Monte Carlo simülasyonu

Abstract

n ÖZET AMORF GERMANYUM BÜYÜTÜLMESİNİN MONTE CARLO SİMÜLASYONU OYLUMLUOĞLU GÖRKEM Yüksek Lisans Tezi, Fizik Haziran, 1999 Bu çalışmada öncelikle ince filmin büyüdüğü taban kristalinin yüzey tipi, taban kristalinin yüzey sıcaklığı ve büyüme hızı gibi parametreler, büyümeyi etkileyen değişkenler olarak ele alınıp, amorf germanyum büyütülmesi modellendi. 'Monte Carlo' yöntemi kullanılarak ilk atomların yüzeye yaklaşarak taban atomlanyla bağ yapmalarından başlanarak ince bir filmin oluşumunun bilgisayar simülasyonu yapıldı. İnce filmi oluşturan atomların büyüme yüzeyi ve birbirleri ile yaptıkları bağlar yapıya uygun seçilen potansiyeller altında ele alınıp yeni bir atomun bağ yapma koşullan ile birlikte büyütülmüş bir ince filmin amorf karakteri ve özellikleri değerlendirildi. Bu bağlamda Radyal Dağılım hesaplanarak, değişik sıcaklıklar, kristai yönlenmeleri, ve büyüme hızlan için çizildi. Bulgular literatürde belirli koşullar için sunulan deneysel verilerle karşılaştınldı.

in ABSTRACT MODELLING OF GROWTH OF AMORPHOUS GERMANIUM USING MONTE CARLO SIMULATION OYLUMLUO?LU GÖRKEM M.Sc. in Physics June, 1999 In this study, we are particularly interested in parameters effecting thin film growth such as orientation of substrate and substrate temperature. Computer simulation of growth, starting from the initial bonding between substrate atoms and the atoms of the growing film, is carried out by using a Monte Carlo technique. Furthermore, the conditions of forming new bonds between substrate atoms and atoms of the film, and among atoms of growing films are investigated by using phenomenological potentials that are appropriately selected for the tetrahedral structure. The radial distribution function is plotted for different substrate temperatures and various orientations of the substrate crystal. The results are compared with the experimental data found in the literature for certain conditions.