Yarı iletkenlerin optik özellikleri

Abstract

ÖZET Yüksek Lisans Tezi YARIİLETKENLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİ Süleyman YILMAZ Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabiliın L>ak 1996, Savla: 46 Bu çalınmada, bazı yarıiletkenlerin optik özellikleri teorik olarak incelendi. Uygulanan elektrik ve magnetik alanın band yapısına etkisi gözlendi. Uygulanan 10 Tesla'lık magnetik alanda, yarıiletkenin emme band aralığının arttığı görüldü. Uygulanan 30 kV'cm'lik elektrik alanda, emme band andığının küçüldüğü görüldü. Sonuç olarak, uygulanan magnetik alanda optik emilme için, dalıa fazla toton enerjisine ihtiyaç olduğu, uygulanan elektrik alanda optik emilme için, daha az foton enerjisinin yeterli okluğu görüldü..ANAHTAR KELİMELER : Yarıiletken, optik özellikler, emme katsayısı, magnetik alan, elektrik alan.

SUMMARY Masters Thesis OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS Süleyman YILMAZ Fırat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 1996, Pages: 46 In tliis study, the optical property's investigation of some semiconductors is observed at applied magnetic and electric fields. It known that, the semiconductors band structure cltange under magitetic and electric fields. Absorption band edge is increased at 10 Tesla magnetic field, but the absorption band edge is decreased at 30 kV/cm electric field. Finally, at applied magnetic field, more photon energy to be necessary is observed for optical absorption. At applied electric field, less photon energy to be sufficiency is observed for optical absorption. KEY WORDS: Semiconductor, Optical properties, absorption coefficient, magnetic field, electric field.