Amorf ınte yarıiletken malzemesinin fiziksel özelliklerinin araştırılması

Abstract

ÖZETYÜKSEK LİSANS TEZİAMORF InTe YARIİLETKEN MALZEMESİNİN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİNİNARAŞTIRILMASIHandan BOSTANCIFırat ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim Dalı2006, Sayfa : 80Bu çalışmada, InTe amorf yarıiletken malzemenin, X ışını difraksiyonu, elektrikseliletkenliği, optik ve dielektrik özellikleri araştırıldı. X-ışını difraksiyon sonuçları InTenumunesinin amorf yapıya sahip olduğunu gösterir. Numunenin elektriksel iletkenliğininsıcaklığa bağlılığı araştırıldı ve bulunan sonuçlar numunenin bir amorf yarıiletken olduğunudoğrular. InTe numunesi fotoiletkenlik özellik gösterir. Numunenin optik band aralığı ve optiksabitleri geçirgenlik ve yansıma spektrumları kullanılarak hesaplandı. Numunede doğrudanoptik geçişler meydana geldi. Numunenin kırılma indisi dispersiyon eğrisi tek osilatör modelineuydu. Numunenin dielektrik özellikleri frekansın ve sıcaklığın bir fonsiyonu olarak araştırıldı.Dielektrik parametrelerin sıcaklık ve frekansla değiştiği bulundu. Elektrik modulus eğrileridielektrik relaksasyon olayını analiz etmek için kullanıldı.Anahtar Kelimeler: InTe, Elektriksel İletkenlik, Amorf Yarıiletken, Dielektrik Sabiti

ABSTRACTMASTER THESISINVESTIGATING OF PHYSICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS InTeSEMICONDUCTOR MATERIALHandan BOSTANCIFırat UniversityGraduate School of Natural and Applied SciencesDepartment of Physics2006, Page: 80In this study, X-ray diffraction, electrical conductivity, optical and dielectrical propertiesof the InTe amorphous semiconductor material have been investigated. X-ray diffraction resultsshow that InTe sample has an amorphous structure. Temperature dependence of electricalconductivity of the sample has been investigated and the obtained results confirm that InTe is anamorphous semiconductor. The InTe sample shows photoconductivity behavior. The opticalband gap and optical constants of the sample were calculated using transmittance andreflectance spectra. In the sample, the direct optical transitions take place. The refractive indexdispersion curve of the sample obeys the single oscillator model. The dielectrical properties ofthe sample have been investigated as a function of frequency and temperature. It was found thatthe dielectrical parameters were changed with temperature and frequency. The electricalmodulus curves were used to analyze the dielectrical relaxation processes.Keywords: InTe, Electrical Conductivity, Amorphous Semiconductour, Dielectric constantI