Fabrication, characterization and parameter extraction of GaAs mesfets

Abstract

Özet GaAs MESFET ÜRETİMİ, KARAKTERIZASYONU VE PARAMETRELERİNİN ELDESİ Erhan Polatkan Ata Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Recai Ellialtıoğlu 28 Ocak 1994 Metal Yarıiletken Alan Etkili Transistor (MESFET), günümüz mikro- dalga endüstrisinin en yaygın kullanılan elemanıdır. MESFET teknolojisinin gelişmesinden sonra mikrodalga endüstrisi, özellikle iletişim alanında, önemli ivme kazanmıştır. Bu çabşmada, değişik boyut ve geometrilerde GaAs MESFETler üretilmiştir. Bu cihazların karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi alçak ve yüksek frekans bölgelerinde yapılan ölçümlerle gerçekleştirilmiştir. Üretilen MESFETlerin düşük kesim frekansları, optimize edilmemiş kapı (gate) oyuğu aşındırmasına bağlanmıştır. Anahtar Sözcükler: MESFET, GaAs, Schottky eklemi, ohmik eklem, aktif tabaka, analitik model, küçük sinyal modeli. ıı

Abstract FABRICATION, CHARACTERIZATION, AND PARAMETER EXTRACTION OF GaAs MESFETS Erhan Polatkan Ata M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Recai Ellialtıoğlu 28 January 1994 Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET) is the most widely used active element of today's microwave industry. After development of the MESFET technology, the microwave industry gained a high acceleration, especially in the telecommunication field. In this study, GaAs MESFETs with various dimesions and geometries were fabricated. Characterization and parameter extraction of these devices were performed, by means of low and high frequency measurements. The low cut off frequency of the MESFETs produced were attributed to the non-optimized gate recess etch. Keywords: MESFET, GaAs, Schottky Contact, Ohmic Contact, active channel, analytical model, small-signal model.