ZnO nanokristallerinde elektromanyetik radyasyon etkisi

Abstract

ZnO ince filmler, sol-jel daldırma yöntemi (dip coating) ile soda-kireç-silika cam taşıyıcılar üzerinde kaplanmıştır. ZnO ince filmin üretim parametreleri, nanokristal bir yapı üretmek için detaylı bir şekilde belirlenmesi hedeflenmiştir.Gama ışınları ile ışınlama işleminden sonra uyartılan ZnO nanokristal yapıda enerji bant aralığında oluşan değişimler incelenmiştir. Co 60 radyoizotopu ile ZnO nanoyapının farklı soğurma dozlarında ışınlanmasından sonra soğurma kenarında ve enerji bant aralığındaki değişimler tavlama sıcaklığının artışı ile incelenmiştir. Böylece, ZnO yapının soğurduğu radyasyon dozu ile, morötesi bölgedeki enerjetik elektromanyetik radyasyonun geçişi kontrol edilmiştir.

ZnO thin films have coated by sol-gel dip coating process on soda-lime-silicate glass substrates. The production parameters of ZnO thin film have been determined clearly to produce the nanocrystalline structure.The changes on energy band gap at induced ZnO nanostructure has investigated after the irradiation treatment by gamma rays. After the irradiation of ZnO nanostructure by Co-60 radioisotope at different absorbed dose the changes of absorption edge and energy band gap investigated with the increase of the annealing temperature. Therefore it could have been possible to control the transmittance of energetic electromagnetic radiation at ultraviolet range by the absorbed dose of ZnO.