Show simple item record

dc.contributor.advisorAkduman, İbrahim
dc.contributor.authorTirak, Osman
dc.date.accessioned2020-12-29T08:48:56Z
dc.date.available2020-12-29T08:48:56Z
dc.date.submitted2009
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/371825
dc.description.abstractHomojen olmayan cisimlerin iç özelliklerinin tespitinde, bozucu olmayan metotların kullanımı oldukça kullanışlıdır. Dalga, dielektrik cisme nüfus edebildiği derecede, cismin özelliklerini saçılımlarda taşır. Bu yüzden, cisimden saçılan alan ile cismin dielektrik özelliği arasında doğrudan bir bağlantı vardır.Saçılan alandan cisim özelliklerinin tespiti, bir ters problem olduğu için karşılaşılan başlıca sorunlar nonlineerlik ve kötü konumlanmışlıktır. Born yaklaşımı, bu sorunların kolayca kaldırılmasını sağladığı gibi; hızlı ve doğruluklu bir çözüm sunar.Bu tezde, düz saçılma problemlerinden başlayarak, saçılma problemlerinin hesaplanması anlatılmış, ters saçılmanın özelliklerine değinilmiş ve Born yaklaşımının kullanımı açıklanmıştır.Son olarak, ikinci dereceden Born yaklaşımına kısaca değinilmiştir. İkinci dereceden Born yaklaşımı limitleri ortadan kaldırarak, daha geniş problem türlerinde doğruluklu çözümler sunmaktadır.
dc.description.abstractThe determination of internal properties of inhomogeneous bodies in a nondestructive way is very useful in many fields of applications. This possibility is related to the capability of incident radiation to penetrate dielectric objects; so a direct relationship exists between the scattered field from the object and its dielectric properties.The essential problems that exist because scattering problems are inverse problems, are nonlinearity and ill-posedness. Born approximation solves that problems and provides an accurate and fast solution.In this thesis, solutions of scattering problems and inverse scattering problems are explained. Inverse problem properties are described and Born approximation is expreessed.Eventually, second-order Born approximation is explained briefly. Secon-order Born approximation provides solutions of more problem models and prevents the limitations of Born approximation.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectElektrik ve Elektronik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectElectrical and Electronics Engineeringen_US
dc.titleTers saçılma problemlerinde Born yaklaşımları
dc.title.alternativeBorn approximations in inverse scattering problems
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentİleri Teknolojiler Anabilim Dalı
dc.subject.ytmElectromagnetic imaging
dc.subject.ytmElectromagnetic scattering
dc.subject.ytmElectromagnetic
dc.subject.ytmElectromagnetic inverse scattering
dc.identifier.yokid331235
dc.publisher.instituteBilişim Enstitüsü
dc.publisher.universityİSTANBUL TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid371549
dc.description.pages56
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess