Growth and characterization of thermol SİO2 thin films

Abstract

ÖZET TERMAL St02 İNCE FİLMLERİN ÎN BÜYÜMESİ VE KARAKTER I ZASYONU ÇELİK, Meral Yüksek Lisans Tezi, Fizik Bölümü Tez Yönet ic is i: Doç. Dr. Bayram KATIRCIO?LÜ Eylül 1987, 113 sayfa. Termal oksitlemenin çeşitli yönleri gözden geçiril mekte ve irdelenmektedir. Son kırk yıl içinde bu alanda ol dukça çalışma yapıldığı halde, arayüz veya bünye (bulk) oksit in yapısal ayrıntıları ve aygıtın elektriksel özellikleri üze rindeki etkileri, bugünlerde yoğun tartışma konusudur. Oksitin ve oksit-silikon arayüz özelliklerinin kont rolü oksit-silikon tabanlı aygıtların (device) kararlığında ve veriminde oldukça önemlidir; özellikle oksitin veya arayüzün içinde çok ince yöresel yük zerrelerinin bulunması aygıtın karakterini etkileyebilir. Admittans ölçümleri, böy le yük zerreciklerinin saptanmasında güçlü bir tekniktir. MOS yapı, imal etmesi ve admittans ölçümleri yorumu çok basit bir aygıt olduğundan aygıt imal etme işlemlerinde test aleti olarak kullanılabilmektedir (temizlik, oksit -v-büyütme, fotolitografi, metalizasyon...). özdirenç (resistivity), etkin yük yoğunluğu, etkin hareketli iyon yoğunluğu, düzband (flatband) voltajında yüzey durum yoğunluğu deği.jik oksit büyütme ve aygıt hazırlama koşullarının ince lenmesinde yardımcı olmaktadır. -vı-

ABSTRACT GROWTH AND CHARACTERIZATION OF THERMAL SÎ02 THİN FILMS ÇEE.ÎK, Meral M.S. in Physics Supervisor: Doç. Dr. Bayram KATIRCIO?LU September 1987, 113 pages. Different aspects of the thermal oxidation have been reviewed and discussed. Although a considerable amount of work has been done in this field during the last forty years, some details of the bulk oxide or interface and their effects on device electrical properties are intensively debated nowadays. The control of the oxide and oxide-silicon interface properties are crucial for the performance and stability of the oxide-silicon based devices; especially the presence of minute traces of local charges within the oxide or at the interface can influence the characteristics of devices. The admittance measurement is a powerful technique for detesting trace amount of such charges. MOS capacitor, which is a very simple device both with respect to the fabrication point of view and the interpretation of the -111-measured admittance, has been used as a testing tool of the device fabrication processes (Cleanliness, oxidation growth, photol ithography, metali isation...), The resistivity, the effective charge density, the effective mobile ion density, and the surface state density of flatband voltage have been evaluated for various conditions of oxide growth and device preparation. -IV-