Show simple item record

dc.contributor.advisorAhmetoğlu, Muhitdin
dc.contributor.authorKirezli, Burcu
dc.date.accessioned2020-12-10T10:50:46Z
dc.date.available2020-12-10T10:50:46Z
dc.date.submitted2019
dc.date.issued2019-09-25
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/251786
dc.description.abstractSon yıllarda Schottky bariyer diyotlarında büyük bir araştırma ve geliştirme çalışması canlandı. Bu aktivite, yarıiletken teknolojisindeki metalle temasların önemi ile büyük ölçüde esinlenmiştir. Yarıiletken üzerinde ince bir polimer tabakanın varlığı metal/yarıiletken Schottky yapılarda önemli rol oynadığı bilinmektedir. İletken polimerlerin elektriksel ve optik özellikleri, teknolojik açıdan çok önemlidir.Bu çalışmada, ilk olarak yüzey polimerizasyon tekniği ile n-Si ve n-GaAs üzerine ince polimer film kaplanarak, P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-GaAs ve P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT]/n-Si fotodiyot yapıları elde edilmiştir. Bu iki fotodiyotun elektriksel özellikleri farklı sıcaklıklarda elektrik özellikleri incelenmiştir. Farklı dalga boyunda lazer ışınları ile aydınlatılarak numunelerin akım–voltaj karakteristikleri incelenmiştir. Spektral duyarlılık ölçümleri, Oriel Cornerstone 260 VIS-NIR Monokromatör sistemi kullanılarak elde edilmiştir. İncelenmiş olan yapıların VIS (Görünür) ve NIR (Yakın Kızılötesi) fotodetektör uygulamaları için iyi bir aday olduğu görülmüştür.
dc.description.abstractIn recent years, a major research and development has been revived in Schottky barrier diodes. This activity has been greatly inspired by the importance of metal contacts in semiconductor technology. The presence of a thin polymer layer on the semiconductor is known to play an important role in metal / semiconductor Schottky structures. Electrical and optical properties of conductive polymers are very important in terms of technology.In this study, firstly P[(EGDMA-VPCA) -SWCNT]/n-GaAs and P [(EGDMA-VPCA) -SWCNT]/n-Si photodiode structures were obtained by coating thin polymer film on n-Si and n-GaAs by surface polymerization technique. The electrical properties of these two different photodiodes were investigated. The current – voltage characteristics of the samples were examined by illuminating with different wavelength laser beams. Spectral sensitivity measurements were obtained using Oriel Cornerstone 260 VIS-NIR Monochromator system. The structures investigated have been found to be a good candidate for VIS (Visible) and NIR (Near Infrared) photodetector applications.en_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.subjectPolimer Bilim ve Teknolojisitr_TR
dc.subjectPolymer Science and Technologyen_US
dc.titleN-GaAs ve n-Si yarıiletkenler üzerinde yüzey polimerizasyon yöntemiyle elde edilmiş olan P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT] filmlerinin oluşturduğu fotodiyot yapıların elektrik ve optik özellikleri
dc.title.alternativeElectrical and optical properties of photodiode structures formed by surface polymerization of P[(EGDMA-VPCA)-SWCNT] films on n-GaAs and n-Si semiconductors
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2019-09-25
dc.contributor.departmentFizik Anabilim Dalı
dc.subject.ytmMetal-semiconductor systems
dc.subject.ytmConducting polymers
dc.identifier.yokid10261429
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityBURSA ULUDAĞ ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid561601
dc.description.pages103
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess