Elektrik ve eğik manyetik alan altında çoklu GaAs/Ga1−xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri

Abstract

Bu çalışmada elektrik ve eğik manyetik alan altında GaAs/Ga1−xAlxAs yarıiletken heteroyapıdaki beş kuantum kuyusunun elektronik ve optik özellikleri incelendi. Etkin kütle yaklaşımı kullanılarak sistemi tanımlayan Schrödinger denkleminin analitik çözümü yapıldı. Elektrik ve eğik manyetik alan altındaki sistemin elektronik altbandlararası enerji geçişleri için kompakt yoğunluk matris yaklaşımıyla soğurma katsayıları (lineer, üçüncü dereceden lineer olmayan ve toplam) hesaplandı. Sistem üzerine gönderilen ışık şiddetinin büyüklüğü değiştirilerek doyma (saturasyon) yoğunluğu incelendi.

In this study, the electronic and optical properties of five quantum wells in GaAs/Ga1−xAlxAs semiconductor heterostructure under external electric and tilted magnetic fiels have investigated. The analytical solution of the Schrödinger equation describing the system has made by using the effective mass approach. The absorption coefficients ( linear, third- order nonlinear and total) for intersubband electronic energy transitions of the system under external electric ve tilted magnetic fields have calculated by using the compact density-matrix approach. The saturation intensity has investigated by changed the light intensity sending to the system.