Elektrik ve eğik manyetik alan altında üçlü GaAs/Ga1-xAlxAs kuantum kuyularının elektronik ve optik özellikleri

Abstract

Bu çalışmada üç kuantum kuyusundan oluşan GaAs/GaAlAs yarıiletken heteroyapıya, büyütme doğrultusunda (z) elektrik alan ve x ekseni ile teta açısı yapacak şekilde eğik manyetik alan uygulanarak sistemin enerji özdeğerleri ve dalga fonksiyonları, etkin kütle yaklaşımı kullanılarak Schrödinger denkleminin analitik çözümü ile bulunmuştur. Ayrıca; elektrik ve eğik manyetik alanların ve bunların değişimiyle de kuyu parametrelerinin, enerji özdeğerleri ve bandiçi elektronik geçişler için lineer, lineer olmayan ve toplam kırılma indisi üzerindeki etkileri incelenmiştir. Optik geçişler için kompakt yoğunluk matris yaklaşımı kullanılmıştır. Sistemin optik özelliklerinin, kuyu parametrelerine, uygulanan dış alan şiddetlerine ve uygulanma doğrultularına duyarlı olduğu anlaşılmıştır.Anahtar Kelimeler: üçlü kuantum kuyusu, optik özellikler, elektrik alan, eğik manyetik alan, lineer, lineer olmayan ve toplam kırılma indisleri.

In this study, the electric field is applied to the GaAs/GaAlAs semiconductor heterostructure with three quantum wells in the direction of magnification (z) and the tilted magnetic field for theta angles with the x axis. The energy eigenvalues and wave functions of the system are found with the analytical solution of Schrödinger equation, using the effective mass approximation. In addition, the effects of the electric and tilted magnetic fields and the well parameters obtained by their changes on the linear, nonlinear and toplam refractive indices for energy eigenvalues and intersubband electronic transitions are investigated. The compact density-matrix approach is used for optical transitions. It is realized that the optical properties of the system are sensitive to the well parameters, external field strengths and application directions.Key Words: triple quantum wells, optical properties, electric field, tilted magnetic field, linear, nonlinear and toplam refractive indexs.