Development of a nanogap fabrication method for applications in nanoelectromechanical systems and nanoelectronics
dc.contributor.advisor | Kaya, İsmet İnönü | |
dc.contributor.author | Günay Demirkol, Anil | |
dc.date.accessioned | 2020-12-10T07:35:07Z | |
dc.date.available | 2020-12-10T07:35:07Z | |
dc.date.submitted | 2013 | |
dc.date.issued | 2018-08-06 | |
dc.identifier.uri | https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/216930 | |
dc.description.abstract | NEMS uygulamaları ile uyumlu, kontrollü bir nanoaralık üretim yönteminin geliştirilmesine büyük ihtiyaç duyulmaktadır. NEMS alanında yapılan teorik çalışmalar, vakum tünelleme eklemi ya da nanoaralık kullanımına dayalı bir yer değiştirme sensörünün, kuantum sınırında ölçümler yapabileceğini göstermektedir. Ayrıca nanoelektronik uygulamalarında, nanoyapıları karakterize etmek ve bu yapıları nano boyutta aygıtlara yerleştirmek için nanoaralıklara gereksinim duyulmaktadır. Bu çalışmada, askıda duran yapılar arasında litografik olarak belirlenmiş bir aralığın ısıl buharlaştırma ile kontrollü olarak daraltılmasına dayalı bir yöntem önerilmiş ve uygulanmıştır. Nanometre ya da nanometre altı boyutlarda sabit ve kararlı nanoaralıklar tutarlı bir şekilde üretilmiştir. Üretilen nanoaralıklar I-V ölçümleri ile karakterize edilmiş ve Simmons' modeli kullanılarak aralığın boyutu ve potansiyel bariyer yüksekliği belirlenmiştir. Yüksek rezonans frekansı ve mekanik kalite faktörüne sahip asılı yapılar elde edebilmek ve üretim esnasında yapışma probleminden etkilenmemek için, çalışma boyunca yüksek çekme gerilimli silikon nitrit ince filmler tercih edilmiştir. Fakat, yüksek stresli nitrit filmler serbest hale getirildikleri zaman şekil deformasyonuna uğramaktadırlar. Nanoaralık üretiminde olduğu gibi, yapıların konumunun muhafaza edilmesi gereken durumlarda şekil deformasyonu sorunlara sebep olmaktadır. Bu çalışmada, içsel stres gradyantı kullanılarak, asılı yapılar arasındaki mesafeyi kontrol edebilen yeni bir yöntem geliştirilmiştir. Geliştirilen teknik, sonlu eleman analizi ile simule edilmiş ve deneysel olarak gerçeklenmiştir. Simulasyon ile deney sonuçlarının karşılaştırılması sonucu, geliştirilen tasarımın litografik çözünürlüğün ötesinde bir aralık ayarlama kapasitesine sahip olduğu gösterilmiştir. | |
dc.description.abstract | There is a great need for a well-controlled nanogap fabrication technique compatible with NEMS applications. Theoretically, a displacement sensor based on vacuum tunnel junction or a nanogap can be capable of performing quantum-limited measurements in NEMS applications. Additionally, in the context of nanoelectronics, nanogaps are widely demanded to characterize nanostructures and to incorporate them into nanoscale electronic devices. Here, we have proposed and implemented a fabrication technique based on the controlled shrinkage of a lithographically defined gap between two suspended structures by thermal evaporation. We have consistently produced rigid and stable metallic vacuum tunneling junctions at nanometer or sub-nanometer sizes. The fabricated nanogaps were characterized by I-V measurements and their gap sizes and potential barrier heights were interrogated using the Simmons'model. Throughout this work, high tensile stress silicon nitride thin films were preferred for the fabrication of suspended structures because they have high resonance frequencies with low dissipation, they are mechanically stable, and they are resilient to stiction problem. However, high-stress nitride structures experience a complex shape deformation once they are suspended. The shape deformation is undesired when the precise positioning of the structures is required as in nanogap fabrication. We developed a new method in which the built in stress gradient is utilized to tune the distance between two suspended structures. The technique was simulated by finite element analysis and experimentally implemented to demonstrate a gap tuning capability beyond the lithographic resolution limits. | en_US |
dc.language | English | |
dc.language.iso | en | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.rights | Attribution 4.0 United States | tr_TR |
dc.rights.uri | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |
dc.subject | Fizik ve Fizik Mühendisliği | tr_TR |
dc.subject | Physics and Physics Engineering | en_US |
dc.title | Development of a nanogap fabrication method for applications in nanoelectromechanical systems and nanoelectronics | |
dc.title.alternative | Nanoelektromekanik sistemler ve nanoelektronik uygulamalarına yönelik bir nanoaralık üretim yönteminin geliştirilmesi | |
dc.type | doctoralThesis | |
dc.date.updated | 2018-08-06 | |
dc.contributor.department | Fizik Anabilim Dalı | |
dc.identifier.yokid | 460655 | |
dc.publisher.institute | Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü | |
dc.publisher.university | SABANCI ÜNİVERSİTESİ | |
dc.identifier.thesisid | 348713 | |
dc.description.pages | 145 | |
dc.publisher.discipline | Nanoteknoloji Bilim Dalı |