Çoklu kuantum tel yapısının dışarıdan uygulanan elektrik alan ve lazer alanın elektronik özelliklere etkisi

Abstract

Üçlü kare kuyu tel sistemine dışarıdan uygulanan elektrik ve lazer alan etkisi altında hidrojenimsi yabancı atom bağlanma enerjisi hesaplandı. Bağlanma enerjisinin dışarıdan uygulanan etkilere duyarlılığı, farklı tel boyutları dikkate alınarak gösterildi. Çoklu kuantum kuyu yapısı GaAs ve AlxGa1-xAs yarıiletken malzemeden oluşturuldu. Uygulanan elektrik alan tel eksenine dik artı x doğrultusunda ve lazer alan tel eksenine paralel negatif z doğrultusunda olacak şekilde seçildi. Hesaplamalarda sonlu farklar nümerik yöntemi kullanıldı. Hesaplamalar sonucu elektron bant enerjilerinin uygulanan alanlar ve tel boyutlarına nasıl bağlı olduğu gösterildi. Bu tür yapıların elektronik özelliklerinin teorik olarak anlaşılması, teknolojik yeni cihazların geliştirilmesi için ekonomik bir yöntemdir.

Hydrogenic foreign atom binding energy was calculatedun dertheeffect of electric and laser field applied externally to the triple square well wire system. The sensitivity of binding energy to externally applied effects was demonstrated by considering different wire sizes. The maltiple quantum well structure was created from GaAsand AlxGa1-xAs semiconductor material. The applied electric field was selected to be perpendicular to the wire positive x-direction and the laser field to be paralel to the wire negative z- direction. In calculations, finite difference numerical method was used. As a result of the calculations, it was shown how the electron band energies depend on the applied fields and wire sizes. Theoretical understanding of the electronic properties of such structures is an economical method for developing new technological devices.