Reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan AIOx ve AI-AIOx ince filmlerinin dielektrik özelliklerinin alana bağlı değişimleri

Abstract

ÜZET Bu çalışmada reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan saf Al O ve sermet A1-A10 filmlerinin dielektrik özellikleri incelendi. A A Reaktif buharlaştırma tekniği ile hazırlanan filmlerin her iki yüzü alüminyum elektrodlarla kaplanarak oluşturulan kondansatörlerin, kompleks kapasite bileşenlerinin, değişik frekanslar için değerleri, Schering köprüsünde ölçüldü ve relaksasyon spektrumları elde edildi. Doğru elektrik alanın relaksasyon spektrumları üzerindeki et kisini incelemek amacıyla, örneklerin kompleks kapasite bileşenlerinin Schering köprüsünde doğru alan altında ölçülmesini sağlayan bir devre geliştirildi ve örneklere aft relaksasyon spektrumları m n alana bağlı değişimleri gözlendi. Bu değişimlerin eskime ile gerçekle şen değişimlere benzerliği vurgulandı. Relaksasyona neden olan yapısal özelliklerin anlaşılmasını ve alanın yapı üzerindeki etkilerinin araştırılmasını sağlamak üzere oe- liştirilen yöntem yardımıyla, arayüz polarizasyon mekanizmasının o- luşturduğu bu relaksasyonun, heterojen yapılarda ortaya çıkan bir Maxwell -Waqner relaksasyonu olduğu belirlendi. Söz konusu yöntemin uygulanması ile elde edilen Maxwell -Wagner eşdeğer devre elemanlarının, alana bağlı değişimleri analiz edildi. Heterojeni iğin ölçüsünü veren bir parametre tanımlandı ve bu parametrenin alana bağlı değişimlerinden, alanla yapının heterojenliğinin daha da arttığı anlaşıldı.

SUMMARY In this study, the dielectric properties of the thin films of pure Al 0 and cermet A1-A1Û have been investigated. These films A A were prepared using reactive evaporation technique. The both faces of the films investigated, have been coated with the aluminium electrodes to form the capacities. The values of the components of the complex capacities for the films studied have been measured as a function of frequency using Schering Bridne and from the results the relaxation spectrums have been obtained. For the investigation of the effect of dc field on the relaxation spectrums, the new experimental system has been developed. This system incorporates with Schering Bridqe. The variation with the applied dc field of the relaxation spectrums of the films investigated have been studied. It was found that this variation is similar to the variation with aging. The new method in determining the equivalent circuit elements of - MaxweTi- Wagner has been- uievelwied io 4mderstand the structural properties causing the relaxational behaviour and to investigate the field effect on the structure of the films studied. It has been confirmed that the relaxation which is caused by the mechanism of the interface polarization, is the relaxation of Maxwell-Wagner found in the heteroqen structures. The variations with the dc field of the equivalent circuit elements obtained by the new method which has been mentioned, have been analyzed. The new parameter which gives a measure of the heterogeneity has been defined and from the variations with the field of this parameter have been understood that the heterogeneity of the structure is increased by the applied dc field. TV