Bizmut ince filmlerinin elektrik özellikleri

Abstract

Bu çalışmada 10-5 Torr'luk vakumda termik buharlaştırmayla hazırlanan farklı kalınlıklarda ince Bi filmlerinin,vakumdan çıkarıldıktan sonra 100-900 nm'lik spektral bölgede transmitans ve zamana bağlı D.C. iletkenlik ölçmeleri yapıldı.Optik ölçümlerde Bi ve üzerinde oluşan BiOx'in Bi-BiOx film sistemindeki iletkenliğe etkisi göz önüne alınarak Bi filminin kalınlıkla değişimi araştırıldı.Değişik kalınlıklardaki Bi filmlerinin omik iletkenlik gösterdiği ve iletkenliğinin kalınlıkla azaldığı görüldü.Ölçü sonuçlarına göre tayin edilen iletkenlik değerlerine ince metal filmlere uygulanabilen Boltzman Transport denklemi ve Fuchs-Sondheimer yaklaşımı uygulanarak ortlama serbest yol hesaplandı.

In this work, measurement of tranmitance in the wavelength range 100-900 nm and time-dependent D.C. conductivity for thin Bi films of different thickness prepared by thermic evaporation method have been done.The thickness of Bi and BiOx layer formed on the Bi films have been determined by optical methods. By taking account of the effect of the time increasing BiOx layer on the conductivity of the Bi films conductivity versus thickness has been invertigated.It was found that Bi films of different thickness show omic conductivity which decreases by increasing thickness.The mean free path has been evaluated according to the Boltzman transport equation and the Fuchs-Sondheimer approximation by using the values of conductivity calculated from the experimental results.