Talyum antimon disülfid (TlSbS2) ince filmlerinin elektriksel özellikleri

Abstract

Teknolojinin hızla geliştiği günümüzde, elektronik sanayinde yarı iletken malzemelerin kullanımı bu alanın gelişmesinde son derece önemli rol oynamıştır. Bu nedenle çalışmamızda TlSbS2 yarıiletken malzemesinin dielektriksel özellikleri incelendi.Bu amaca uygun olarak örneklerimiz Al/ /Al formunda hazırlandı. Hazırlanan örneklerin 25 Hz - 1 kHz frekans, 250 - 6000 kalınlık ve 293 K - 373 K sıcaklık aralığı bölgesinde kapasite, kayıp ve değişken alan iletkenliği davranışı belirlendi. Elde edilen sonuçlara göre, alçak frekanslarda yapıda uzun rölaksasyon zamanlı bir polarizasyon mekanizmasının hakim olduğu; frekans artışıyla birlikte yapıda farklı polarizasyon mekanizmalarının da etkin olabileceği görüldü.Dielekrik iletkenliğin davranışının bağıntısına uydugu görüldü. ?n? katsayının 0,6 ile 0,8 arasında değer aldığı ve sıcaklığa bağlı olduğu belirlendi. Buna göre yapıdaki polarizasyon mekanizmasının sıcaklığa bağlı olduğu sonucuna varıldı.

Nowadays when technology improves rapidly, semiconductor materials play important role in electronic industry. Because of the importance of these materials, the dielectrical properties of these materials were investigated.By the way of this purpose of investigation, we prepared samples as Al/ /Al form. Prepared samples were investigated within 25 Hz ? 1 kHz frequency range, within 250 - 6000 thickness range and within 293 K - 373 K temperature range to determine capacitive behaviour, electric dissipation and alternative field conductivity of these materials. According to obtained results, it is thought within low frequency region a polarization mechanism that occurs in long relaxation time range. As frequency increases, other polarization mechanisms may be effective in structure.It was observed that the relation between alternative conductivity and applied frequency obeys equation. It was determined that n coefficient values are between 0,6 - 0,8 and these values are depend on temperature. It was concluded that polarization mechanism in structure depended on temperature.