TlSbS2 yarıiletken malzemesinin elektriksel özellikleri

Abstract

Bu tez çalışmasında, Tl BV C2VI (B = As, Sb, Bi, In C = S, Se, Te) tipi üçlü yarıiletkenler grubuna ait Bridgman-Stockbarger metoduyla hazırlanmış olan TlSbS2 yarıiletken malzemesi kullanıldı. Malzemenin tabakalarına dik ve paralel doğrultuda elektriksel iletkenlik mekanizmasını ve dielektrik sabitini belirlemek için Indiyum (In) metal kontaklar oluşturuldu. In/TlSbS2/In örneklerinin Akım-Voltaj (I-V) karakteristik ölçümleri Keithley 2410-C DC voltaj kaynağı kullanılarak, 10-5 Torr vakum altında, Pt100 sıcaklık sensörü vasıtasıyla 293-373 Kelvin sıcaklık aralığında ve 1-250 Volt gerilim bölgesinde incelendi. Tabakalara dik ve paralel olarak yapılan kontaklara bağlı olarak örneklerin dielektrik sabiti değeri oda sıcaklığında ve azot ortamında 10-2 Hz ile 10+7 Hz frekans aralığında Dielektrik spektrometresi ile incelendi. Elektriksel ve Dielektrik ölçümler vasıtasıyla baskın olan iletkenlik mekanizmasının tipi ve ayrıca Aktivasyon enerjisi incelendi.

In this thesis, semiconductor material TlSbS2 was used related with Tl BV C2VI (B = As, Sb, Bi, In C = S, Se, Te) ternary type semiconductor group which were grown by the using Bridgman-Stockbarger technique. Indium (In) metal contacts were formed paralel and perpendicular to the layers of TlSbS2 material to determine of electrical conductivity mechanisms and dielectrical constants. The current and voltage measurements of In/TlSbS2/In samples were investigated by using Keithley 2410-C model DC voltage sourcemeter under 10-5 Torr vacuum, by means of Pt100 temperature sensor between 293-373K temperature range and 1-250 voltage range. The dielectric constant of samples which were formed parallel and perpendicular to the layers were investigated by Dielectric spectrometer with frequency range between 10-2 to 10+7 Hz at room temperature. Dominant conductivity mechanisms, and the activation energy of semiconductor material was investigated from electrical and dielectrical measurements.