Organik yarıiletken/inorganik yarı iletken heteroeklem diyodunun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada (100) doğrultusunda büyütülmüş özdirenci ?? 5-10 ? -cm olan boron katkılı p-tipi Si kullanıldı.Amacımız metal-yarıiletken Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri,arayüzey hallerinin enerji dağılımını belirlemek ve aynı şartlarda hazırlanmış diyotların engel yüksekliği ile idealite faktörleri arasındaki bağlantıyı araştırmaktır.Ayrıca bu yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi ve karakteristiklerinin aydınlanma şiddetiyle ilişkisine açıklık getirebilmektir.Bu amaç için Al/Tips:Meppv/p-Si diyotunu kendi laboratuarımızda imal ettik. Yaptığımız HF'e daldırma metoduyla RCA kimyasal temizleme işleminin sonucunda silisyum kristalinin yüzeyi yoğun bir şekilde hidrit gruplarıyla kaplandı. Bu işlemden sonra silisyumun mat yüzeyine yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak tavlama işlemi için N2 ortamında 5800 sıcaklıkta 3 dakika bekletilerek omik kontak yapıldı. Omik kontaklı Silisyumun parlak yüzeyine Tips:Mehppv organik film çözeltisinden birkaç damla damlatıldı ve kurumaya bırakıldı.Böylece organik film elde edildi.Elde edilen Tips:Meppv/p-Si yapısı üzerine yeniden yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak Al/Tips:Meppv/p-Siyapısı elde edildi Bu diyotların karakteristik parametreleri(I-V) akım gerilim ölçümlerinden belirlendi.Bu ölçümler karanlıkta ,aydınlıkta ve farklı frekanslar için gerçekleştirildi .p-tipi Si yarıiletkenin yüzeyi hidrojenlendiğinden bu yapı doğrultucu özellik gösterdi.

In this study,we have used p-Si with(100) orientation and resistivity ?? 5-10 ? -cm Our purpose is experimentally to investigate the characteristic parameters and the interface state density distribution of metal/semiconductor Al/p-Si contacts.Furthermore, the effective Schottky barrier heihts and ideality factors obtained from the current-voltage(I-V) characteristics have differed from diode to diode although the samples have been identically prepared.Therefore,it has also been exampled the reason of the linear relationship between effective barrier heights and ideality factors.We have prepared the MS Al/p-Si contacts in our research laboratory.The RCA clean with HF dip shows a predominant coverage of the surface with hydride groups.After HF etching,the Si surfaces is predominantly terminated by various hydrides. .After ,Ohmic contacts on the lustreless surface wafer formed under high vacuum by evaporation of Al and thermal annealing at 580 0 temperture for 3 minutes in flowing N2 in the quartz tube furnace. Tips:Meppv organic film solutions have been droppen on the bright surface of Silisium with ohmic contact and it have been left to dry.İn this way organic film has been obtained. Al/ Tips:Meppv /p-Si has been obtained by evaporation again Al on the surface were formed Tips:Meppv /p-Si structure.The characteristics parameters of the structures have been determined using current-voltage(I-V) measurements.This measurements have carried out in dark and under illumination.Therefore,H-terminated Al/p-Si structures showed the rectifying behavior.