Show simple item record

dc.contributor.advisorAydın, M. Enver
dc.contributor.authorGüloğlu, Serhat
dc.date.accessioned2020-12-07T08:28:28Z
dc.date.available2020-12-07T08:28:28Z
dc.date.submitted2011
dc.date.issued2018-08-06
dc.identifier.urihttps://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/114786
dc.description.abstractBu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 ?m kalınlıklı ve direnci 5-10 ?cm arasında olan p-tipi Silisyum yarıiletken kristali kullanıldı. Amacımız Metal/Yarıiletken (MS) Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri ve arayüzey hallerinin enerji dağılımını belirlemek ve deneysel etkin engel yüksekliği ile idealite faktörleri arasındaki lineer ilişkinin nedenlerini araştırmaktır.Silisyum, Al/p-Si Schottky diyotun fabrikasyondan önce oda sıcaklığında 60Co ?-ışın radyasyonu altında ışınlandı. Diyotun karakteristik parametreleri olan akım-gerilim (I-V) ölçümleri radyasyon öncesinde ve sonrasında belirlenmiştir. ?-ışın radyasyonu üzerinde Al/p-Si hala bir düzeltme davranışı olduğu görülmüştür. ?-ışın radyasyonu Al/p-Si Schottky diyotun idealite faktörü ve engel yüksekliği elektriksel parametreleri üzerinde büyük bir etki göstermiştir. Ayrıca arayüzey durum yoğunluğu ışınlamadan sonra artmıştır.MS p-tipi Si'dan yapılan diyotlarda, seri direnç hesaba katılmadan elde edilen N_ss arayüzey durum yoğunluğunun, seri direnç hesaba katılarak elde edilen N_ss'den daha büyük bir değere sahip olduğu görüldü. Diyotların seri direnç değerleri dikkate alınarak hesaplama yapıldığında, Al/p-Si MS Schottky diyotların N_ss değerlerinin yasaklanmış enerji aralığının ortasından valans bandın tepesine doğru üstel olarak arttığı görüldü.Anahtar Kelimeler: Schottky bariyer; Schottky diyot; y-ışın radyasyonu; Seri direnç
dc.description.abstractIn this study, we have used p-Si with (100) orientation, 400 ?m thickness and resistivity 5-10 ?cm. Our purpose is experimentally to investigate the characteristic parameters and the interface state density distribution of metal/semiconductor (MS) Al/p-Si contacts. Therefore, it has also been exampled the reason of the linear relationship between effective barrier heights and ideality factors.The Si was irradiated under 60Co ?-ray irradiation at room temperature before the fabrication of Al/p-Si Schottky diode. Characteristic parameters of the diode were determined from its current-voltage (I-V) measurements before and after irradiation. It was seen that Al/p-Si with ?--ray irradiation has still a rectification behavior. ?--ray irradiation has shown a big effect on electrical parameters of Al/p-Si Schottky diode with higher values of ideality factor and barrier height. Furthermore interface state density increased after irradiation.The N_ss values obtained taking into account the series resistance values are lower than those obtained without considering the series resistance. After considering the series resistance value in the calculation related to the interface state density distribution (ISDD), an exponential rise of the interface state density for the MS Al/p-Si contact from midgap towards the top of valence bands.Keywords: Schottky barriers; Schottky diodes; y-ray irradiation; Series resistanceen_US
dc.languageTurkish
dc.language.isotr
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightsAttribution 4.0 United Statestr_TR
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğitr_TR
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleAl/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması
dc.title.alternativey-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode
dc.typemasterThesis
dc.date.updated2018-08-06
dc.contributor.departmentKatıhal Fiziği Anabilim Dalı
dc.subject.ytmSchottky contacts
dc.subject.ytmSchottky barriers
dc.subject.ytmSeries resistance
dc.subject.ytmSchottky diodes
dc.identifier.yokid407076
dc.publisher.instituteFen Bilimleri Enstitüsü
dc.publisher.universityDİCLE ÜNİVERSİTESİ
dc.identifier.thesisid299981
dc.description.pages50
dc.publisher.disciplineDiğer


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

info:eu-repo/semantics/openAccess
Except where otherwise noted, this item's license is described as info:eu-repo/semantics/openAccess