Işığın, P3HT poly( 3-hexylthiophene) organik filmi ile elde edilen Al/P3HT/p-Si yapısının elektriksel özelliklerine etkisi

Abstract

Bu tez çalışmasında (100) doğrultusunda büyütülmüş, özdirenci 5-10 ?.cm arasında olan p-tipi silisyum yarıiletken kristal kullanıldı. Silisyum RCA temizlik metoduyla yıkandı. Daha sonra Silisyumun mat yüzeyine yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak tavlama işlemi için N2 ortamında 570 ºC sıcaklıkta 3 dakika bekletilerek omik kontak yapıldı. Omik kontaklı Silisyumun parlak yüzeyine P3HT organik film çözeltisinden birkaç damla damlatıldı ve kurumaya bırakıldı. Böylelikle organik film elde edildi. Elde edilen P3HT/p-Si yapısı üzerine yeniden yüksek vakum altında Al buharlaştırılarak Al/P3HT/p-Si yapısı elde edildi.Diyodun karakteristik parametreleri, akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden belirlendi. Işıksız ortamda Al/P3HT/p-Si diyotunun engel yüksekliği 0.78 eV idealite faktörü 2.43, ışıklı ortamda ise engel yüksekliği 0.76 eV idealite faktörü 4.07 olarak belirlendi. Bu sonuç elde ettiğimiz diyotun ışıklı ortama duyarlı olmasına atfedildiAnahtar Kelimeler: Organik film, p-tipi Silisyum, Elektriksel Özellik

In this thesis, we have used p-type Si semiconductor crystal with (100) orientation and resistivity between 5-10 ?.cm. Si wafer has been cleaned by RCA method. Then, ohmic contacts on the unpolished surface formed by evaporation of Al under high vacuum and thermal annealing at 570 ºC temperature for 3 minutes under N2 atmosphere in the quartz tube furnace. A few drops of P3HT organic solutions have been dropped on the polished surface of Si with ohmic contact and it has been left to dry. In this way, Al/P3HT/p-Si has been obtained by evaporation of Al on P3HT/p-Si structure.Characteristic parameters of the diode have been determined using current?voltage (I-V) measurements. Barrier height and ideality factor values of Al/P3HT/p-Si diode have been determined as 0.78 eV and 2.43 in dark 0.76 eV and 4.07 under light, respectively. These results attributed photosense of the diode.Keywords: Organic film,p-type Si, electrical properties