Al:ZnO ince filmlerin optik ve elektriksel özelliklerine gama ışınlarının etkileri

Abstract

Yarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksekmalzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebeptenmalzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır.Bu çalışmada çeşitli altlıklar üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve değişikoranlarda Al katkılanmış ZnO ince filmlerin gama ışımasına maruz bırakılmasından sonra bazıparametrelerindeki değişim araştırıldı. Elde edilen yapının elektrik ve optik özellikleri incelendi.İnce filmlerin elektriksel iletkenlikleri Hall etkisi ölçüm sistemiyle oda sıcaklığında ölçüldü.Bazı optik parametreler UV-Vis spektrometrik yöntemle tayin edildi. Optik parametrelerle ilgilideneysel bulgular teorik hesaplamalarla karşılaştırıldı. Alınan bu ölçümler Al:ZnO yapılarıngama ışımasına maruz bırakılmasının ardından tekrar yapıldı ve değişimler gözlendi. İncefilmlerin yapı analizi X ışınları kırınımı ile tayin edildi.

As semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and opticalpermeability materials used in most position respect of technological. Because of this considersproducting of the material and measuring of using respect of technological.In this study, forming ZnO thin films on various substrates and changes someparameters after gamma ray exposure of ranging Al doped ZnO thin films were investigated.Optic and electrical properties of as-grown films were measured. Electrical conductivity wasmeasured by Hall Effect measurement system at room temperature. Some optic parameters weredetermined by UV-Vis spectrometric method. Theoretical calculations on optical parameterswere compared with the ones that were obtained by experimental values. These measurementswere made after gamma ray exposure of the thin films and some changes were observed.Structural analysis of the the thin films was made with respect to X ray diffraction data.