Search
Now showing items 1-5 of 5
RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerin karakterizasyonu ve heteroeklem üretiminde kullanılması
(2018-08-06)
II–VI grubu bileşiklerinden CdS ve ZnS oda sıcaklığında geniş ve doğrudan bant aralığına sahip olmasından dolayı güneş pilleri, optik sensörler ve kızılötesi pencereler gibi optoelektronik uygulamalarda oldukça önemli bir ...
Ag/ZnO/p?Si yapısının elektriksel karakterizasyonu
(2018-08-06)
Yarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ...
Arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au schottky diyodların karakteristik parametrelerinin teorik ve deneysel karşılaştırılması
(2018-08-06)
ÖZET Bu çalışmada <111> doğrultulu n-tip Silisyum dilimleri taban alınarak, arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au diyodlan imal edildi. Bunların I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen karakteristik ...
Si tabanlı Sn metali ile oluşturulan ince arayüzey doğal oksit tabakalı ve tabakasız schottky diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki lineer ilişkinin araştırılması
(2018-08-06)
îti ÖZET Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 um kalınlıklı ve direnci 5- 10 Q.cm arasında olan n ve p-tipi Silisyum kullanıldı. Çalışmadaki amacımız, engel yüksekliğinin uzaysal inhomojenliğinin neden olduğu ...
Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması
(2018-08-06)
Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 ?m kalınlıklı ve direnci 5-10 ?cm arasında olan p-tipi Silisyum yarıiletken kristali kullanıldı. Amacımız Metal/Yarıiletken (MS) Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri ...