Browsing TEZLER by Subject "Schottky diodes"
Now showing items 1-6 of 6
-
Ag/ZnO/p?Si yapısının elektriksel karakterizasyonu
(DİCLE ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Yarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ... -
Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması
(DİCLE ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 ?m kalınlıklı ve direnci 5-10 ?cm arasında olan p-tipi Silisyum yarıiletken kristali kullanıldı. Amacımız Metal/Yarıiletken (MS) Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri ... -
Arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au schottky diyodların karakteristik parametrelerinin teorik ve deneysel karşılaştırılması
(DİCLE ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)ÖZET Bu çalışmada <111> doğrultulu n-tip Silisyum dilimleri taban alınarak, arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız Au-Sb/n-Si/Au diyodlan imal edildi. Bunların I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen karakteristik ... -
RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerin karakterizasyonu ve heteroeklem üretiminde kullanılması
(DİCLE ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)II–VI grubu bileşiklerinden CdS ve ZnS oda sıcaklığında geniş ve doğrudan bant aralığına sahip olmasından dolayı güneş pilleri, optik sensörler ve kızılötesi pencereler gibi optoelektronik uygulamalarda oldukça önemli bir ... -
Si tabanlı Sn metali ile oluşturulan ince arayüzey doğal oksit tabakalı ve tabakasız schottky diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki lineer ilişkinin araştırılması
(DİCLE ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)îti ÖZET Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 um kalınlıklı ve direnci 5- 10 Q.cm arasında olan n ve p-tipi Silisyum kullanıldı. Çalışmadaki amacımız, engel yüksekliğinin uzaysal inhomojenliğinin neden olduğu ... -
Yeni kitin türevlerinin sentezi, karakterizasyonu ve diyot uygulamaları
(DİCLE ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-12-11)Bu çalışmada, karides kabuklarından elde edilen kitin asit klorürler, karboksilik asitler ve anhidritle etkileştirildi. Kitin ve yeni sentezlenen maddeler farklı tekniklerle karakterize edildi. Ayrıca kitin ve sentezlenen ...