Search
Now showing items 1-2 of 2
RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerin karakterizasyonu ve heteroeklem üretiminde kullanılması
(2018-08-06)
II–VI grubu bileşiklerinden CdS ve ZnS oda sıcaklığında geniş ve doğrudan bant aralığına sahip olmasından dolayı güneş pilleri, optik sensörler ve kızılötesi pencereler gibi optoelektronik uygulamalarda oldukça önemli bir ...
Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması
(2018-08-06)
Bu çalışmada, (100) doğrultusunda büyütülmüş, 400 ?m kalınlıklı ve direnci 5-10 ?cm arasında olan p-tipi Silisyum yarıiletken kristali kullanıldı. Amacımız Metal/Yarıiletken (MS) Al/p-Si kontakların karakteristik parametreleri ...