Browsing TEZLER by Author "Sağlam, Mustafa"
Now showing items 1-17 of 17
-
Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In ve Cd/n-InP/In schottky diyotların akım-voltaj ve kapasite-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının ve termal tavlamanın etkileri
Cimilli Çatir, Fulya Esra (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Doktora Tezi olarak sunulan bu çalışmada Ag/n-InP/In, Au/n-InP/In ve Cd/n-InP/In Schottky diyotları elde edildi ve karakteristik parametreleri numune sıcaklığına göre hesaplandı. Schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve ... -
Al/p-Si/Al ve Al/V2O5/p-Si/Al yapılarının elektriksel karakteristikleri üzerine yüzey pasivasyonunun etkileri
Şenarslan, Elvan (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020-08-03)Bu çalışmada, altlık olarak (100) yönelimine sahip fabrikasyon olarak parlatılmış p-tipi Si yarıiletkeni kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine Al metali buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Daha sonra omik kontaklı p-Si ... -
Au/p-si/al, au/go/p-si/al ve au/au-rgo/p-si/al yapılarının elektriksel karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi
Odabaş, Merve (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020-04-20)Bu çalışmada <111> yönelimine sahip, 1-10 Ω-cm özdirençli ve 400 µm kalınlığında p-tipi Si yarıiletkeni kullanılarak Au/p-Si/Al, Au/GO/p-Si/Al ve Au/Au-RGO/p-Si/Al diyotları üretilip, bu yapıların I-V karakteristikleri ... -
Aynı şartlar altında hazırlanmış Au/n-Si/Au-Sb MIS Schottky diyotların idealite faktörleri ile engel yükseklikleri arasındaki ilişki
Cimilli, Fulya Esra (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)ÖZET Yüksek Lisans Tezi AYNI ŞARTLAR ALTINDA HAZIRLANMIŞ Aıı /n-Si/Au-Sb MIS SCIIOTTKY DJYO TLARLNIN İDEALİ TL FAKTÖRLERİ İLE ENGEL YÜKSEKLİKLERİ ARASINDAKİ İLİŞKİ Fulya Esra CİMİLLİ Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri ... -
Bazı ikili ve üçlü alaşımlardan üretilen alaşım/yarıiletken doğrultucu kontakların elektriksel karakteristiklerinin zamana bağlı olarak araştırılması
Taşer, Ahmet (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-01-25)Bu doktora tezi çalışmasında Au, Ag ve Cu metallerinden ve bu metaller kullanılarak hazırlanan ağırlıkça eşit oranlardaki ikili ve farklı oranlardaki üçlü alaşımlardan elde edilen doğrultucu kontakların elektriksel ... -
Farklı oranlarda hazırlanan Au-Cu ve Ag-Cu alaşımlarıyla üretilen schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin termal tavlamaya bağlı incelenmesi
Kanmaz, İmran (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, taban malzeme olarak [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 μm kalınlığa ve 2,5x1017 cm-3 donor konsantrasyonuna sahip n-tipi GaAs kristali kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine indiyum metali buharlaştırılarak ... -
In2S3 ince filminin n–InP altlık üzerine kimyasal püskürtme metoduyla büyütülmesi ve üretilen Au/n–InP/In ve Au/In2S3/n–InP/In yapıların numune sıcaklığına bağlı olarak elektriksel karakteristiklerinin karşılaştırılması
Çakici, Tuba (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada (100) yönelimli ve 400 µm kalınlıklı n–tipi InP yarıiletkeni kullanılarak Au/n–InP/In ve Au/In2S3/n–InP/In yapıları üretilip, bu yapıların elektiriksel karakteristikleri hem oda sıcaklığında hem de numune ... -
Kimyasal püskürtme metoduyla üretilen CdS ince filminin Cd/CdS/p-Si/Al yapıda kullanılması
Aktaş, Şeydanur (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Yüksek lisans tezi olarak hazırladığımız bu çalışmada, taban malzeme olarak p-tipi Si kristali kullanıldı. Kullanılan kristal taban malzemenin mat yüzeyine alüminyum metali buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Diğer ... -
Metal/ yarıiletken MIS yapıların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
Buğur, Nesim (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)ÖZET ı Ag//?-GaAs Schottky diyodları, rc-GaAs (100) yarıiletkeninin bir yüzüne omik kontak için Au-Ge, diğer yüzüne doğrultucu kontak için Ag (%99.9) buharlaştırılarak elde edildiler. Referans numune ile MİS Schottky diyod ... -
Polipirol/P-Si/Al diyodunun karakteristik parametrelerinin zamana bağlılığı
Korucu, Demet (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)ÖZET Y. Lisans Tezi POLİPİROL/P-Sİ/AL DİYODUNUN KARAKTERSİSTÎK PARAMETRELERİNİN ZAMANA BAĞLILIĞI Demet KORUCU Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç.Dr.Mustafa SAĞLAM Bu tezde, [lOO] ... -
SILAR metoduyla elde edilen Cd/CdS/n-GaAs/In ve Cd/CdSe/n-GaAs/In yapıların elektriksel karakteristikleri üzerine termal tavlamanın etkileri
Yildirim, Fatma (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, taban malzeme olarak [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 ?m kalınlığına ve 2,5x1017 cm-3 donor konsantrasyonuna sahip n-tipi GaAs kristali kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine indiyum metali buharlaştırılarak ... -
SILAR metoduyla elde edilen Cd/CdSe/n-GaAs/In yapının karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi
Taşer, Ahmet (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, Cd/CdSe/n-GaAs/In sandviç yapıyı elde etmek için [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 ?m kalınlığına ve 2,5x1017 cm-3 donor konsantrasyonuna sahip n-tipi GaAs kullanıldı. n-GaAs'ın mat yüzeyine indiyum ... -
SILAR metoduyla elde edilen Cu/CuS/n-GaAs/In yapının elektriksel karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi
Kaya Dölekli, Ebru (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2020-07-14)Yapılan yükseklisans tez çalışmasında n-GaAs ve cam taban malzemeler üzerine CuS ince filmleri Sıralı İyonik Tabaka Çökelmesi ve Reaksiyonu (SILAR) yöntemiyle büyütüldü. Cam taban malzeme üzerine büyütülen CuS ince filmlerine ... -
Sn/PPy/n-Si/Au-Sb yapının bazı karakteristik parametrelerinin sıcaklığa bağlı akım-voltaj, kapasite-voltaj ve kapasite-frekans ölçümlerinden tayin edilmesi
Aydoğan, Şakir (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-10-24)Bu çalışmada, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 400 um kalınlığına ve 1-10 î2-cm özdirencine sahip «-tipi Si kristali kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine buharlaştırma ile Au-Sb alaşımı, diğer yüzeyine ise elektrokimyasal ... -
Sılar metoduyla elde edilen Cd/CdS/n-GaAs/In yapının karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi
Buğur, Elvan (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 ?m kalınlığına ve 2.5x1017 cm-3 donor konsantrasyonuna sahip n-tipi GaAs kristali kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine indiyum metali buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. ... -
Sılar tekniği ile büyütülen cds ince filmlerin sandviç tipi devre elemanları yapımında kullanılması ve bu yapıların karakteristiklerinin incelenmesi
Güzeldir, Betül (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Doktora Tezi olarak sunulan bu çalışmada <111> yönelimine sahip, 1-10 ?.cm özdirençli ve 400 µm kalınlıklı, fabrikasyon olarak parlatılmış n-tipi Si yarıiletkeni kullanıldı. Kristalin mat yüzeyine Au-Sb alaşımı ... -
Zn/n-Si/Au-Sb ve Zn/ZnO/n-Si/Au-Sb Schottky diyotların elektriksel karakteristikleri üzerine farklı enerji ve dozlardaki elektron ve gama radyasyonlarının etkilerinin karşılaştırmalı olarak incelenmesi
Abdolahpour Salari, Maryam (ATATÜRK ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-01-25)Bu tez çalışmasında diyotları üretmek için altlık olarak (100) yönelimli ve 400 μm kalınlıklı ve 1-10 Ωcm özdirence sahip n–tipi Si yarıiletkeni kullanılmıştır. n-Si yarıiletkeni kimyasal olarak temizlendikten sonra, 10-6 ...