Search
Now showing items 11-20 of 357
InSe ve InSe: Mn yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve Schottky diyot davranışları
(2018-08-06)
Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülen InSe ve InSe:Mn yarıiletken kristallerin sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçüleri 10-320 K sıcaklık aralığında, 10 K'lik adımlarla alınmıştır. Eksiton ve yasak enerji aralığının ...
Güneşpilleri ve tarihsel gelişimi
(2018-08-06)
Bu çalışmada güneş pilleri ve güneş pillerinde kullanılan malzemeler ele alınmıştır. Küresel ısınmanın sonucu olarak yenilenebilir enerjiye olan ihtiyaç son zamanlarda artmıştır. Bu bağlamda enerji kaynağı olarak güneş ...
Pb/p-Si/Al schottky kontakların sıcaklığa bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj ölçümlerinden karakteristik parametrelerinin incelenmesi
(2018-08-06)
ÖZET Yüksek Lisans Tezi Pb/p-Sİ/Al SCHOTTKY KONTAKLARIN SICAKLIĞA BAĞLI AKIM- VOLTAJ VE KAPASİTE-VOLTAJ ÖLÇÜMLERİNDEN KARAKTERİSTİK PARAMETRELERİNİN İNCELENMESİ Enise ÖZERDEN Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü ...
Enerji ayrımlı x- ışını flöresans spektrometresiyle kestelek bor atığı ve boraks ile katkılandırılan çeşitli yapı malzemelerinin transmisyon katsayılarının ölçülmesi
(2018-08-06)
Bu çalışmada enerji ayrımlı X-ışını flöresans spektrometresi kullanılarak çeşitli yapı malzemeleri ile birlikte farklı oranlarda bor ve şlam katkılandırılarak hazırlanan numunelerin transmisyon katsayıları deneysel olarak ...
Atom numarası 22 ile 29 arasında olan elementlerin halojenli bileşiklerinde uyarma enerjisine bağlı olarak K tabakası flöresans tesir kesitleri üzerine kimyasal etki
(2018-08-06)
Bu çalışmada, 22 < Z ^ 29 olan yedi elementin (Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, Cu) flor'lu ve klor'lu bileşikleri için 5.467 keV'den 17.781 keV'e kadar değişen onsekiz farklı enerjide karakteristik K x-ışını ...
Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
(2018-08-06)
300 µm kalınlıklı, (100) yüzey yönelimli tek kristal n-tipi GaAs yarıiletkeninden Au/Ti/Al2O3/n-GaAs Schottky diyotlar üretildi. Ara katman olarak Al2O3 yalıtkan malzemesi 3, 5 ve 10 nm olarak atomik katman kaplama (ALD) ...
K ve L x ışını şiddet oranları üzerine kimyasal etkiler
(2018-08-06)
ÖZET Bu çalışmada, CrxNi--x ve CrxAlı-x alaşımlarında Cr ve Ni'in Kp/Ka şiddet oranlarına alaşım etkisi ve Hg, Pb ve Bi elementlerinin bileşiklerinde Lp/La, La+Ln. / l_p ve Ly/La şiddet oranlarına kimyasal etkiler ...
Bazı potansiyel biyoaktif bileşiklerin kütle soğurma katsayıları, etkin atom numaraları, atomik tesir kesitleri ve foton kuvvetlendirme faktörlerinin incelenmesi
(2018-08-06)
Bu tezin amacı, bazı potansiyel biyoaktif bileşiklerin (Seri I-V) kütle soğurma katsayıları, etkin atom numaraları ve atomik tesir kesitlerinin 8,04-59,54 keV enerji aralığında foton uyarması ve HPGe dedektör kullanılarak ...
Homojen olmayan FeCrNiC/p-Si Schottky yapısının sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
(2018-08-06)
Bu çalışmada, ilk kez, FeCrNiC/p-Si Shottky diyodun sıcaklığa bağlı engel karakteristikleri 80-320 K sıcaklık aralığında termoiyonik emisyon teorisi temel alınarak analiz edildi. Engel yüksekliği (EY) ( ), idealite faktörü ...
Plazma polimerizasyon tekniği kullanılarak uçucu yağ bileşenlerinden elde edilen ince filmlerin antibakteriyel etkilerinin ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
(2019-08-12)
Bu çalışmada, organik bileşik olan Cinnamaldehyde ve Perillaldehyde uçucu yağ bileşenlerinden radyo frekansı plazma destekli kimyasal buhar biriktirme (RF-PECVD) yöntemi kullanılarak cam altlıklar üzerinde antibakteriyel ...