Search
Now showing items 1-10 of 14
Hall olayı ve rezistivite ölçümleri için enstrumentasyon
(2018-08-06)
Yarıiletkenlerin elektriksel karakterizasyonunda kullanılan Hail ve rezistivite ölçüm sisteminin, bilgisayar kontrolüne alınması için gerekli instrumentasyon bu çalışmanın ana temasım oluşturmaktadır. Araştırma laboratuvarlarında, ...
TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
(2018-08-06)
Bridgman/Stockbarger metodu üe A1^ c/, A2BAc/ > £&&2 ve A2B*cl tipli yaniletkeıı bileşiklerin tek kristallerini büyütmek amacıyla kristal büyütme sistemi dizayn edildi ve A3B3C^ yarıiletken ailesinin üyeleri ...
Polipirol/P-Si/Al diyodunun karakteristik parametrelerinin zamana bağlılığı
(2018-08-06)
ÖZET Y. Lisans Tezi POLİPİROL/P-Sİ/AL DİYODUNUN KARAKTERSİSTÎK PARAMETRELERİNİN ZAMANA BAĞLILIĞI Demet KORUCU Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç.Dr.Mustafa SAĞLAM Bu tezde, [lOO] ...
TIGaSe2(1-x)S2x yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi
(2018-08-06)
ÖZET TlGaSe2(i-X)S2x tek kristalleri Bridgman-Stockbarger kristal büyütme metoduyla büyütüldü. Soğurma ölçüleri TlGaSe2(i-x)S2x (TlGaSeî, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 ve TlGaS2) numunelerinde 10-320 K sıcaklık aralığında ...
Metal/ yarıiletken MIS yapıların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
(2018-08-06)
ÖZET ı Ag//?-GaAs Schottky diyodları, rc-GaAs (100) yarıiletkeninin bir yüzüne omik kontak için Au-Ge, diğer yüzüne doğrultucu kontak için Ag (%99.9) buharlaştırılarak elde edildiler. Referans numune ile MİS Schottky diyod ...
InSe ve InSe:Bi yarıiletkenlerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
(2018-08-06)
ÖZET InSe ve InSe:Bi (%0.05 ve 0.5) yarıiletken bileşikleri. Stockbarger tekniğine dayah Yönlendirilmiş Katılaştırma Metodu ile büyütüldü. Büyütülen kristallerin elektriksel özellikleri, sıcaklığa bağlı Hail ve özdirenç ...
n-tipi GaAs yarı iletkeni üzerine oluşturulan Sn/n-Ga As kontak yapılarında arayüzey parametrelerinin belirlenmesi
(2018-08-06)
ÖZET Sn/n-GaAs (Te) Schottky diyotlarını elde etmek için: [100] doğrultusundan büyütülmüş, 450 //m kalınlığında, iki yüzü parlatılmış, 1-5 x /011 cm'3 taşıyıcı konsantrasyonlu n tipi GaAs yarıiletkeni kullanıldı. ...
Üçlü (Ternary) CulnSe2 tek kristallerinin büyütülmesi
(2018-08-06)
Bu çalışmada üçlü (Ternary) yarıiletken ailesinin bir üyesi olan CulnSe2 tek kristalinin büyütülmesi ve bazı özelliklerinin incelenmesi araştırılmıştır. CulnSe2 tek kristalini büyütme ameliyesi; elementlerin önreaksiyonundan ...
GaTe, GaTe:Er ve GaTe:Cu yarıiletkenlerinin büyütülmesi, elektriksel ve optik karakterizasyonu
(2018-08-06)
ÖZET Günümüz teknolojisinde, yarıiletken tabanlı elektronik devre elemanları ve optoelektronik cihazlar büyük bir öneme sahiptirler. Bu devre elemanı ve cihazların yapımı için, taban malzeme olarak kullanılacak olan ...
Fotovoltaik öneme sahip CuInS2/In2S3 çok tabakalı yarıiletkenince filmlerinin SILAR metoduyla büyütülmesi ve karakterizasyonu
(2018-08-06)
Oda sıcaklığında CuInS2/In2S3 çok tabakalı incefilmi SILAR tekniği kullanılarak büyütüldü. Büyütülen film 100 °C, 200 °C, 300 °C, 400°Cve 500° de 30 dk azot ortamında tavlandı ve tavlamanın fotoelektriksel, optik ve yapısal ...