Browsing TEZLER by Author "Lişesivdin, Sefer Bora"
Now showing items 1-14 of 14
-
Al, Ga, In ve As safsızlıklarının beta-Si3N4 bileşiğinin elektronik ve optik özelliklerine etkisinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi
Kutlu, Ece (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, saf, Al, Ga, In ve As safsızlığı içeren Si3N4 kristalinin elektronik ve optik özellikleri, yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) ile yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) kullanan hesaplamalar ile yapılmıştır. ... -
Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Atmaca, Gökhan (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada AlGaN ve InAlN bariyerli InGaN/GaN çoklu kuvantum kuyularına sahip AlQN/AlN/GaN/InGaN/GaN/AlGaN/AlN/GaN (Q=Ga,In) çokluyapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG) özellikleri 1-boyutlu kendini-eşleyebilen ... -
GaN tabanlı alan etkili transistörlerde SiC arka-yüzey geçiş deliği aşındırma uygulaması
Haliloğlu, Mehmet Taha (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-10-03)Yarıiletken teknolojisinde transistörler önemli bir yere sahiptir. Transistörler temel olarak üç bileşenden oluşmaktadır. Bu yapılar kaynak, akaç ve kapı metallerinin bir yarıiletken üzerinde konumlandırılarak elektriksel ... -
GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu
Al Abbas, Jangeez Mostafa M Jameel (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalıĢmada AlN, AlGaN ve AlInN ultraince bariyerli GaN temelli yüksek elektrondevingenlikli transistör (HEMT) çoklu yapılarının 2-Boyutlu Elektron Gazı (2DEG)özellikleri bir boyutlu kendini-eĢleyebilen Schrödinger-Poisson ... -
Grafit soyma ve epitaksiyel yöntemlerle elde edilmiş grafenlerde manyetoiletim ve yüzey özellikleri incelemeleri
Elibol, Kenan (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, grafit soyma ve epitaksiyel yöntemlerle elde edilmiş grafen numunelerinin yüzey özellikleri ve manyetoiletim özellikleri incelendi. Grafen numunelerinin yüzey özellikleri, optik mikroskop, AFM ve SEM kullanılarak ... -
Ingan-kuvantum kuyulu AllnN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapılarında elektron iletim özelliklerinin incelenmesi
Karakoç, Gülser (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada MOVPE kristal büyütme yöntemi ile büyütülen 3 adet InxGa1-xNkuvantum kuyulu AlInN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapı için Hall ölçümleri ve özdirenç analizleri gerçekleştirildi. Özdirenç, Hall hareketliliği ve taşıyıcı ... -
Investigation of electronic and optical properties of wurtzite MgZnO with first principles calculations
Ibrahem, Rokaia (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-01-29)Bu çalışmada, hekzagonal ZnO ve farklı Magnezyum (Mg) alaşım oranlarına sahip MgxZn1-xO yapıların elektronik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) temelli Atomistix Toolkit-Virtual NanoLab (ATK-VNL) ... -
Kenarları paladyum ile sonlandırılmış grafen nanoşeritlerin elektronik özelliklerinin incelenmesi
Kuloğlu, Abdullah Fatih (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, Atomistix Toolkit-Virtual Nanolab (ATK-VNL) yazılımı kullanılarak armchair kenar tipine sahip grafen nanoşeritlerin elektronik özelliklerinin şerit genişliğine ve kenardaki serbest bağların doyurulmasına bağlı ... -
MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Lişesivdin, Sefer Bora (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Ill MBE TEKNİĞİ İLE BÜYÜTÜLEN InGaAs/GaAs VE AlGaAs/GaAs YARIİLETKENLERİNİN İLETİM ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Sefer Bora LİŞESİVDİN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Bu çalışmada MBE tekniği ... -
RF magnetron sputter sistemi ile pasif devre elemanı rezistör üretimi ve karakterizasyonu
Sönmez, Kemal Berk (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2019-12-20)Monolitik mikrodalga tümleşik devreler (MMIC), radar ve elektronik harp uygulamalarının temel yapıtaşını oluşturan mikrodalga parçaların hemen hepsinde kullanımı mevcut olan, günümüzün kritik teknolojileri arasında ... -
Si3N4 ile pasive edilmiş AlGaN/GaN temelli çoklu yapılarda düşük alan iletimi ve sıcak-elektron iletimi çalışmaları
Atmaca, Gökhan (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)AlGaN/GaN çokluyapıları günümüz modern elektroniği için yüksek güç, yüksek frekans ve yüksek sıcaklık uygulama alanlarında yaygın bir kullanım alanı bulmaktadır. Bu yaygın kullanım alanına rağmen AlGaN/GaN çokluyapılara ... -
Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri
Güneş, Cem (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-08-06)Bu çalışmada, ultraince bariyerli AlInN/GaN ve ultraince bariyerli AlInN/AlN/GaN/AlN yapılarına sahip 4 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 30 ? 300 K sıcaklığı arasında, Hall ... -
Ultraince bariyerli GaN-temelli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektriksel özellikleri ve saçılma analizleri
Öztürk, Mehmet (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-10-10)Bu çalışmada MOCVD tekniği ile büyütülmüş ultraince bariyerli AlN/GaN ve In0,17Al0,83N/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının Hall etkisi ve taşıyıcı yoğunluğu ölçümleri 15-300 K sıcaklıkları ... -
Zn, Cd ve Hg katkılı grafen düzlemlerin elektronik özelliklerinin ab-initio yöntemlerle incelenmesi
Ömeroğlu, Öznur (GAZİ ÜNİVERSİTESİ/Fen Bilimleri Enstitüsü, 2018-10-11)Tez çalışması kapsamında grup IIB elementleri olan Zn, Cd ve Hg atomlarının grafen düzlemlerine katkılanmasıyla elektronik özellikleri, Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (DFT) yardımıyla Yerel Yoğunluk Yaklaşımı (LDA) kullanılarak ...