İnce filmlerde optik geçirgenliğin ve elektrik iletkenliğin kalınlığa bağlılığı
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZET `İnce filmlerde optik geçirgenliğin ve elektrik iletkenliğin kalınlığa bağlılığı` Cam taşıyıcılar üzerinde indiyumoksit ve kalayoksit ince filmleri reaktif buharlaştırma tekniğiyle hazırlandı. Ayrıca kalayın buharlaştırılıp havada tavlanmasıyla da kalayoksit örnekleri hazırlandı. 400 - 1100 nm aralığındaki dalgaboylannda geçirgenlik ölçülerinden absorbsiyon katsayısı hesaplandı. Bu dalgaboylannda kalınlıkla absorbsiyon katsayısının değişimi incelendi. Bütün örnekler için akım - voltaj değişiminden direnç değerleri tayin edildi. İndiyumoksit örneklerinde bir kalınlık bölgesinde iletkenliğin ve geçirgenliğin arttığı gözlendi, indiyumoksit örneklerinde film kalınlığıyla absorbsiyon katsayısının değişiminin, şimdiye kadar açıklandığı gibi ışığın girişimi ile açıklanamayacağı sonucuna varıldı. Bu değişimin band aralığının değişimine bağlı olabileceği ileri sürüldü. Film kalınlığıyla iletkenliğin artmasının, grain boyutlarının film kalınlığıyla artmasından dolayı olduğu ileri sürüldü. Kalayoksit örneklerde kalınlıkla geçirgenliğinin azalmasının band aralığının azalması sebebiyle olabileceği kabul edildi. SUMMARY ` The dependence of optical transmission and electrical conductivity on the thickness of thin film samples ` Indiumoxide and tinoxide thin film samples were prepared on glass substrates by reactive evaporation technique. Tinoxide thin film samples were also obtained by evaporation and then annealing tin in air for comparison. For each sample the wavelength variation of absorbtion coefficient in the wavelength range from 400nm to 1 lOOnm was obtained by transmission measurements. Based on these the film thickness variation of absorbtion coefficient in the above wavelength range was derived. Moreover, the resistance of all samples was determined from the current - voltage characteristics. / A careful investigation of the above properties of the indiumoxide thin film samples led us to conclude that : 1- Both the electric conductivity and optical transmission increase in the same thickness range; 2- The film thickness variation of absorbtion coefficient can not be attributed due to the light interference as some authors suggest. We belive that the observed variation of absorbtion coefficient can be explained with change of the band gap whereas the increase in the electric conductivity is due to the increase of grain size as the film thickness rises. For tinoxide film samples the optical transparency decreases with the film thickness and we assume that is can be attributed to the decrease of band gap. VI
Collections