Yüzey ışıması yapan düşük boyutlu yapılarda bragg yansıma olaylarının incelenmesi
- Global styles
- Apa
- Bibtex
- Chicago Fullnote
- Help
Abstract
ÖZET YÜZEY IŞIMASI YAPAN DUŞUK BOYUTLU YAPILARDA BRAGG YANSIMA OLAYLARININ İNCELENMESİ Bu çalışmada, Bragg yansıtıcıları içeren Ultra Bright Hot Electron Lasing and Light Emitting in Semiconductor Heterostructure (UB HELLISH) ve Vertical Cavity Surface Emitting Laser Hot Electron Lasing and Light Emitting in Semiconductor Heterostructure (HELLISH VCSEL) aygıtlarının üzerinde çalışmalar yapıldı. Her iki aygıtın çalışma prensibi de Gaı.xAlxAs p-n ekleminin tabakalarına paralel olan sıcak taşıyıcı transportuna dayanmaktadır. Bu nedenle bu aygıtların yaptıkları ışıma uygulanan voltajın kutuplamasına bağlı değildir ve aygıtların çalışması için yalnızca bütün tabakalara difüze olmuş iki kontak yeterlidir. Bu çalışmada bu aygıtların çalışmalarına sıcaklığın etkileri ve aynı zamanda Bragg yansıtıcıları etkisi ile UB HELLISH'ten HELLISH VCSEL' e olan gelişim incelendi. Bu analizlerin yapılmasında I-V karakteristikleri, uygulanan elektrik alana ve sıcaklığa bağlı elektroışıma, fotoışıma spektrumları, yansıtma ve sıcaklığa bağlı ışık - elektrik alan ölçümlerinin sonuçlan kullanıldı. İdeal çalışma sıcaklığını belirlemek için kazanç, bant aralığı ve yansıtma spektrumu hesaplamaları farklı sıcaklıklarda yapıldı. Eşik elektrik alanının sıcaklığa bağlılığı, k seçim kuralının kullanılmadığı ışımalı geçişleri içeren modelden elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı. Anahtar Sözcükler: Optoelektronik, optik haberleşme, kavite, VCSEL, lazer, LED, sıcak elektron, HELLISH, DBR. xm SUMMARY INVESTIGATION OF BRAGG REFLECTION EFFECTS IN LOW DIMENSIONAL SURFACE EMITTING STRUCTURES In this study, Ultra Bright Hot Electron Lasing and Light Emitting Semiconductor Heterostructure (UB HELLISH) and Vertical Cavity Surface Emitting Laser Hot Electron Lasing and Light Emitting Semiconductor Heterostructure (HELLISH VCSEL) devices containing Distributed Bragg Reflectors (DBRs) were investigated. The operation of both devices is based on hot carrier transport parallel to the layers of Gai.xAlxAs p-n junction. Therefore the light emission from devices is independent of the polarity of the applied voltage and the operation of the devices requires only two diffused - in contacts. We have presented the temperature dependence of the operational characteristics of these devices. Also we have showed the effects of distributed Bragg reflectors to development of the UB HELLISH to HELLISH VCSEL. Experimental studies comprised the measurements of the I-V characteristics, electroluminescence spectra as a function of temperature and applied field, reflectivity spectra, and temperature dependent light - electric field. In order to obtain the optimum operation temperature we carried out the gain calculations, reflectivity spectra, and band gap calculations at different temperatures. Temperature dependence of threshold electric field was compared with the model calculations where radiative transitions without k-selection were considered. Keywords: Optoelectronics, optical communication, cavity, VCSEL, laser, LED, hot electron, HELLISH, DBR. XTV
Collections